IRFWZ24A - описание и поиск аналогов

 

IRFWZ24A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFWZ24A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для IRFWZ24A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFWZ24A даташит

 ..1. Size:210K  samsung
 irfwz24a.pdf pdf_icon

IRFWZ24A

IRFW/IZ24A Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 60 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.07 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 17 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area D2-PAK I2-PAK 175 Operating Temperature 2 A (Max.) @ VDS = 60V Lower Leakage Current 10 Lower RDS(ON) 0.050 (Typ.) 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drai

 9.1. Size:291K  1
 irfwz34a irfiz34a.pdf pdf_icon

IRFWZ24A

 9.2. Size:273K  1
 irfwz14a irfiz14a.pdf pdf_icon

IRFWZ24A

 9.3. Size:507K  samsung
 irfwz44a.pdf pdf_icon

IRFWZ24A

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 60 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.024 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 50 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area 175 Operating Temperature 2 Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 60V Lower RDS(ON) 0.020 (Typ.) 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absolute Max

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFW710A , IRFW720A , IRFW730A , IRFW740A , IRFW820A , IRFW830A , IRFW840A , IRFWZ14A , SKD502T , IRFWZ34A , IRFWZ44A , IRFY044 , IRFY044C , IRFY120 , IRFY120C , IRFY130 , IRFY130C .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.