Справочник MOSFET. IRFWZ24A

 

IRFWZ24A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFWZ24A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 24 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для IRFWZ24A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFWZ24A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:210K  samsung
 irfwz24a.pdf pdf_icon

IRFWZ24A

IRFW/IZ24AAdvanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 60 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.07 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 17 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaD2-PAK I2-PAK 175 Operating Temperature2A (Max.) @ VDS = 60V Lower Leakage Current : 10 Lower RDS(ON) : 0.050 (Typ.)112331. Gate 2. Drai

 9.1. Size:291K  1
 irfwz34a irfiz34a.pdf pdf_icon

IRFWZ24A

 9.2. Size:273K  1
 irfwz14a irfiz14a.pdf pdf_icon

IRFWZ24A

 9.3. Size:507K  samsung
 irfwz44a.pdf pdf_icon

IRFWZ24A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 60 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.024 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 50 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area 175 Operating Temperature2 Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 60V Lower RDS(ON) : 0.020 (Typ.)112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Max

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IRFP048 | FX6KMJ-3

 

 
Back to Top

 


 
.