IRF2907ZSPBF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRF2907ZSPBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 140 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 970 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для IRF2907ZSPBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF2907ZSPBF даташит

 ..1. Size:420K  international rectifier
 irf2907zpbf irf2907zspbf irf2907zlpbf.pdf pdf_icon

IRF2907ZSPBF

PD - 95489D IRF2907ZPbF IRF2907ZSPbF IRF2907ZLPbF Features HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance D VDSS = 75V l 175 C Operating Temperature l Fast Switching l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax RDS(on) = 4.5m G l Lead-Free ID = 160A S Description This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achie

 ..2. Size:420K  international rectifier
 irf2907zlpbf irf2907zpbf irf2907zspbf.pdf pdf_icon

IRF2907ZSPBF

PD - 95489D IRF2907ZPbF IRF2907ZSPbF IRF2907ZLPbF Features HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance D VDSS = 75V l 175 C Operating Temperature l Fast Switching l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax RDS(on) = 4.5m G l Lead-Free ID = 160A S Description This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achie

 5.1. Size:293K  international rectifier
 auirf2907zs-7p.pdf pdf_icon

IRF2907ZSPBF

PD - 96321 AUTOMOTIVE GRADE AUIRF2907ZS-7P HEXFET Power MOSFET Features D V(BR)DSS 75V l Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance RDS(on) typ. 3.0m l 175 C Operating Temperature G l Fast Switching max. 3.8m S l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax S (Pin 2, 3, 5, 6, 7) ID (Silicon Limited) 180A l Lead-Free, RoHS Compliant G (Pin 1) l Automot

 5.2. Size:295K  international rectifier
 irf2907zs-7ppbf.pdf pdf_icon

IRF2907ZSPBF

PD - 97031D IRF2907ZS-7PPbF Features HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance D l 175 C Operating Temperature VDSS = 75V l Fast Switching l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax RDS(on) = 3.8m G Description S ID = 160A This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest S (Pin 2, 3, 5, 6, 7) processing techniques and advanced packaging G (

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRF2807ZPBF, IRF2807ZSPBF, IRF2903ZLPBF, IRF2903ZPBF, IRF2903ZSPBF, IRF2907ZLPBF, IRF2907ZPBF, IRF2907ZS-7PPBF, IRF1404, IRF3610SPBF, IRF3703PBF, IRF3704L, IRF3704LPBF, IRF3704PBF, IRF3704SPBF, IRF3704ZCLPBF, IRF3704ZLPBF