Справочник MOSFET. IRF3610SPBF

 

IRF3610SPBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRF3610SPBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 333 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 103 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 100 nC
   Время нарастания (tr): 55 ns
   Выходная емкость (Cd): 690 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0116 Ohm
   Тип корпуса: TO-263

 Аналог (замена) для IRF3610SPBF

 

 

IRF3610SPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:252K  international rectifier
irf3610spbf.pdf

IRF3610SPBF
IRF3610SPBF

PD - 97638AIRF3610SPbFHEXFET Power MOSFETApplicationsDl High Efficiency Synchronous Rectification in SMPSVDSS100Vl Uninterruptible Power SupplyRDS(on) typ.9.3ml High Speed Power SwitchingG max. 11.6ml Hard Switched and High Frequency Circuits IDS 103ABenefitsl Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtRuggednessl Fully Characterized Capacitance and

 ..2. Size:294K  infineon
irf3610spbf.pdf

IRF3610SPBF
IRF3610SPBF

IRF3610SPbFHEXFET Power MOSFETApplicationsDl High Efficiency Synchronous Rectification in SMPSVDSS100Vl Uninterruptible Power SupplyRDS(on) typ.9.3ml High Speed Power SwitchingG max. 11.6ml Hard Switched and High Frequency Circuits IDS 103ABenefitsl Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtRuggednessl Fully Characterized Capacitance and Avalanche

 6.1. Size:258K  inchange semiconductor
irf3610s.pdf

IRF3610SPBF
IRF3610SPBF

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRF3610SFEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Volt

 9.1. Size:139K  international rectifier
irf360.pdf

IRF3610SPBF
IRF3610SPBF

PD - 90518REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRF360400V, N-CHANNELHEXFETTRANSISTORSTHRU-HOLE (TO-204AA/AE)Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRF360 400V 0.20 25AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique processing of this latestState of the Art design a

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top