Справочник MOSFET. IRFWZ44A

 

IRFWZ44A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRFWZ44A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 126 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 50 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 64 nC
   Время нарастания (tr): 16 ns
   Выходная емкость (Cd): 590 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.024 Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для IRFWZ44A

 

 

IRFWZ44A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:507K  samsung
irfwz44a.pdf

IRFWZ44A
IRFWZ44A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 60 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.024 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 50 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area 175 Operating Temperature2 Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 60V Lower RDS(ON) : 0.020 (Typ.)112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Max

 9.1. Size:291K  1
irfwz34a irfiz34a.pdf

IRFWZ44A
IRFWZ44A

 9.2. Size:273K  1
irfwz14a irfiz14a.pdf

IRFWZ44A
IRFWZ44A

 9.3. Size:210K  samsung
irfwz24a.pdf

IRFWZ44A
IRFWZ44A

IRFW/IZ24AAdvanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 60 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.07 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 17 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaD2-PAK I2-PAK 175 Operating Temperature2A (Max.) @ VDS = 60V Lower Leakage Current : 10 Lower RDS(ON) : 0.050 (Typ.)112331. Gate 2. Drai

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top