Справочник MOSFET. IRFWZ44A

 

IRFWZ44A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFWZ44A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 126 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 64 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 590 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для IRFWZ44A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFWZ44A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:507K  samsung
 irfwz44a.pdf pdf_icon

IRFWZ44A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 60 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.024 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 50 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area 175 Operating Temperature2 Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 60V Lower RDS(ON) : 0.020 (Typ.)112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Max

 9.1. Size:291K  1
 irfwz34a irfiz34a.pdf pdf_icon

IRFWZ44A

 9.2. Size:273K  1
 irfwz14a irfiz14a.pdf pdf_icon

IRFWZ44A

 9.3. Size:210K  samsung
 irfwz24a.pdf pdf_icon

IRFWZ44A

IRFW/IZ24AAdvanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 60 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.07 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 17 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaD2-PAK I2-PAK 175 Operating Temperature2A (Max.) @ VDS = 60V Lower Leakage Current : 10 Lower RDS(ON) : 0.050 (Typ.)112331. Gate 2. Drai

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFW730A , IRFW740A , IRFW820A , IRFW830A , IRFW840A , IRFWZ14A , IRFWZ24A , IRFWZ34A , TK10A60D , IRFY044 , IRFY044C , IRFY120 , IRFY120C , IRFY130 , IRFY130C , IRFY140 , IRFY140C .

 

 
Back to Top

 


 
.