Справочник MOSFET. IRF3708SPBF

 

IRF3708SPBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF3708SPBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 87 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 62 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 707 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF3708SPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:277K  international rectifier
 irf3708pbf irf3708spbf irf3708lpbf.pdf pdf_icon

IRF3708SPBF

PD - 95363IRF3708PbFSMPS MOSFET IRF3708SPbFIRF3708LPbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl High Frequency DC-DC Isolated Converterswith Synchronous Rectification for TelecomVDSS RDS(on) max IDand Industrial Use 30V 12m 62Al High Frequency Buck Converters forComputer Processor Powerl Lead-FreeBenefitsl Ultra-Low Gate Impedancel Very Low RDS(on) at 4.5V VGSl Ful

 ..2. Size:277K  international rectifier
 irf3708pbf irf3708spbf.pdf pdf_icon

IRF3708SPBF

PD - 95363IRF3708PbFSMPS MOSFET IRF3708SPbFIRF3708LPbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl High Frequency DC-DC Isolated Converterswith Synchronous Rectification for TelecomVDSS RDS(on) max IDand Industrial Use 30V 12m 62Al High Frequency Buck Converters forComputer Processor Powerl Lead-FreeBenefitsl Ultra-Low Gate Impedancel Very Low RDS(on) at 4.5V VGSl Ful

 6.1. Size:138K  international rectifier
 irf3708s irf3708l.pdf pdf_icon

IRF3708SPBF

PD - 93938BIRF3708SMPS MOSFET IRF3708SIRF3708LApplicationsHEXFET Power MOSFET High Frequency DC-DC Isolated Converterswith Synchronous Rectification for TelecomVDSS RDS(on) max IDand Industrial Use 30V 12m 62A High Frequency Buck Converters forComputer Processor PowerBenefits Ultra-Low Gate Impedance Very Low RDS(on) at 4.5V VGS Fully Characterized Avalanch

 6.2. Size:271K  inchange semiconductor
 irf3708s.pdf pdf_icon

IRF3708SPBF

isc N-Channel MOSFET Transistor IRF3708SDESCRIPTIONStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 12m@V = 10VGSDrain Source Voltage: V = 30V(Min)DSS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONS .High Frequency Synchronous Buck Converters for ComputerProcessor Power.ABSOLUTE MAXIMUM RA

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: AP4N4R2H | YTF840 | BSS138A | STF20NM60D | AONU32320 | 2SJ542

 

 
Back to Top

 


 
.