IRF3710ZLPBF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRF3710ZLPBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 59 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 77 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: TO-262

Аналог (замена) для IRF3710ZLPBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF3710ZLPBF даташит

 ..1. Size:382K  international rectifier
 irf3710zlpbf irf3710zpbf irf3710zspbf.pdf pdf_icon

IRF3710ZLPBF

PD - 95466A IRF3710ZPbF IRF3710ZSPbF Features IRF3710ZLPbF Advanced Process Technology HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating 175 C Operating Temperature D VDSS = 100V Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free RDS(on) = 18m G Description ID = 59A This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest S processing techn

 ..2. Size:382K  international rectifier
 irf3710zpbf irf3710zspbf irf3710zlpbf.pdf pdf_icon

IRF3710ZLPBF

PD - 95466A IRF3710ZPbF IRF3710ZSPbF Features IRF3710ZLPbF Advanced Process Technology HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating 175 C Operating Temperature D VDSS = 100V Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free RDS(on) = 18m G Description ID = 59A This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest S processing techn

 5.1. Size:256K  inchange semiconductor
 irf3710zl.pdf pdf_icon

IRF3710ZLPBF

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRF3710ZL FEATURES With To-262 package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage 10

 6.1. Size:172K  international rectifier
 irf3710z.pdf pdf_icon

IRF3710ZLPBF

PD - 94632 IRF3710Z AUTOMOTIVE MOSFET HEXFET Power MOSFET Features D Advanced Process Technology VDSS = 100V Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating RDS(on) = 18m 175 C Operating Temperature G Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID = 59A S Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET Power MOSFET utilizes th

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRF3709ZCLPBF, IRF3709ZLPBF, IRF3709ZPBF, IRF3709ZSPBF, IRF3710A, IRF3710LPBF, IRF3710PBF, IRF3710SPBF, IRFB3607, IRF3710ZPBF, IRF3710ZSPBF, IRF3711, IRF3711L, IRF3711LPBF, IRF3711PBF, IRF3711S, IRF3711SPBF