Справочник MOSFET. IRF3710ZSPBF

 

IRF3710ZSPBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRF3710ZSPBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 160 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 59 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 82 nC
   Время нарастания (tr): 77 ns
   Выходная емкость (Cd): 290 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.018 Ohm
   Тип корпуса: TO-263

 Аналог (замена) для IRF3710ZSPBF

 

 

IRF3710ZSPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:382K  international rectifier
irf3710zlpbf irf3710zpbf irf3710zspbf.pdf

IRF3710ZSPBF IRF3710ZSPBF

PD - 95466AIRF3710ZPbFIRF3710ZSPbFFeaturesIRF3710ZLPbF Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating 175C Operating TemperatureDVDSS = 100V Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-FreeRDS(on) = 18mGDescriptionID = 59A This HEXFET Power MOSFET utilizes the latestSprocessing techn

 ..2. Size:382K  infineon
irf3710zpbf irf3710zspbf irf3710zlpbf.pdf

IRF3710ZSPBF IRF3710ZSPBF

PD - 95466AIRF3710ZPbFIRF3710ZSPbFFeaturesIRF3710ZLPbF Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating 175C Operating TemperatureDVDSS = 100V Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-FreeRDS(on) = 18mGDescriptionID = 59A This HEXFET Power MOSFET utilizes the latestSprocessing techn

 5.1. Size:330K  international rectifier
auirf3710zstrl.pdf

IRF3710ZSPBF IRF3710ZSPBF

PD - 97470AUIRF3710ZAUTOMOTIVE GRADEAUIRF3710ZSFeaturesHEXFET Power MOSFET Low On-Resistance 175C Operating TemperatureDVDSS = 100V Fast Switching Fully Avalanche Rated Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxRDS(on) = 18m Lead-Free, RoHS CompliantG Automotive Qualified *ID = 59ADescriptionSSpecifically designed for Automotive applications,this HE

 5.2. Size:353K  infineon
auirf3710z auirf3710zs.pdf

IRF3710ZSPBF IRF3710ZSPBF

PD - 97470AUIRF3710ZAUTOMOTIVE GRADEAUIRF3710ZSFeaturesHEXFET Power MOSFET Low On-Resistance 175C Operating TemperatureDVDSS = 100V Fast Switching Fully Avalanche Rated Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxRDS(on) = 18m Lead-Free, RoHS CompliantG Automotive Qualified *ID = 59ADescriptionSSpecifically designed for Automotive applications,this HE

 5.3. Size:258K  inchange semiconductor
irf3710zs.pdf

IRF3710ZSPBF IRF3710ZSPBF

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRF3710ZSFEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Vol

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: IRF540ZSPBF

 

 
Back to Top