IRF3710ZSPBF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRF3710ZSPBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 59 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 77 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для IRF3710ZSPBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF3710ZSPBF даташит

 ..1. Size:382K  international rectifier
 irf3710zlpbf irf3710zpbf irf3710zspbf.pdf pdf_icon

IRF3710ZSPBF

PD - 95466A IRF3710ZPbF IRF3710ZSPbF Features IRF3710ZLPbF Advanced Process Technology HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating 175 C Operating Temperature D VDSS = 100V Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free RDS(on) = 18m G Description ID = 59A This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest S processing techn

 ..2. Size:382K  international rectifier
 irf3710zpbf irf3710zspbf irf3710zlpbf.pdf pdf_icon

IRF3710ZSPBF

PD - 95466A IRF3710ZPbF IRF3710ZSPbF Features IRF3710ZLPbF Advanced Process Technology HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating 175 C Operating Temperature D VDSS = 100V Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free RDS(on) = 18m G Description ID = 59A This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest S processing techn

 5.1. Size:353K  international rectifier
 auirf3710z auirf3710zs.pdf pdf_icon

IRF3710ZSPBF

PD - 97470 AUIRF3710Z AUTOMOTIVE GRADE AUIRF3710ZS Features HEXFET Power MOSFET Low On-Resistance 175 C Operating Temperature D VDSS = 100V Fast Switching Fully Avalanche Rated Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax RDS(on) = 18m Lead-Free, RoHS Compliant G Automotive Qualified * ID = 59A Description S Specifically designed for Automotive applications, this HE

 5.2. Size:330K  international rectifier
 auirf3710zstrl.pdf pdf_icon

IRF3710ZSPBF

PD - 97470 AUIRF3710Z AUTOMOTIVE GRADE AUIRF3710ZS Features HEXFET Power MOSFET Low On-Resistance 175 C Operating Temperature D VDSS = 100V Fast Switching Fully Avalanche Rated Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax RDS(on) = 18m Lead-Free, RoHS Compliant G Automotive Qualified * ID = 59A Description S Specifically designed for Automotive applications, this HE

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRF3709ZPBF, IRF3709ZSPBF, IRF3710A, IRF3710LPBF, IRF3710PBF, IRF3710SPBF, IRF3710ZLPBF, IRF3710ZPBF, IRF530, IRF3711, IRF3711L, IRF3711LPBF, IRF3711PBF, IRF3711S, IRF3711SPBF, IRF3711ZCL, IRF3711ZCLPBF