Справочник MOSFET. IRF3808SPBF

 

IRF3808SPBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF3808SPBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 106 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 140 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 890 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для IRF3808SPBF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF3808SPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:309K  international rectifier
irf3808lpbf irf3808spbf.pdfpdf_icon

IRF3808SPBF

PD - 95467AIRF3808SPbFIRF3808LPbFTypical Applications HEXFET Power MOSFET Industrial Motor DriveDVDSS = 75VBenefits Advanced Process Technology Ultra Low On-ResistanceRDS(on) = 0.007G Dynamic dv/dt Rating 175C Operating TemperatureID = 106A Fast SwitchingS Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-FreeDescriptionThis Advanced Planar Stripe H

 6.1. Size:161K  international rectifier
irf3808s.pdfpdf_icon

IRF3808SPBF

PD - 94338AIRF3808SAUTOMOTIVE MOSFETIRF3808LTypical ApplicationsHEXFET Power MOSFET Integrated Starter Alternator 42 Volts Automotive Electrical SystemsDBenefitsVDSS = 75V Advanced Process Technology Ultra Low On-ResistanceRDS(on) = 0.007 Dynamic dv/dt RatingG 175C Operating TemperatureID = 106AV Fast SwitchingS Repetitive Avalanche Allowed up to T

 6.2. Size:220K  international rectifier
auirf3808s.pdfpdf_icon

IRF3808SPBF

PD - 97698AAUTOMOTIVE GRADEAUIRF3808SHEXFET Power MOSFETFeatures Advanced Planar TechnologyD Low On-Resistance VDSS 75V Dynamic dV/dT RatingRDS(on) typ.5.9m 175C Operating TemperatureG max. 7.0m Fast SwitchingS Fully Avalanche Rated ID106A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free, RoHS Compliant Automotive

 6.3. Size:258K  inchange semiconductor
irf3808s.pdfpdf_icon

IRF3808SPBF

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRF3808SFEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Volt

Другие MOSFET... IRF3805L-7PPBF , IRF3805LPBF , IRF3805PBF , IRF3805S-7PPBF , IRF3805SPBF , IRF3808L , IRF3808LPBF , IRF3808PBF , IRF2807 , FQD6N50CTF , FQD6N50CTM , FQD6N60CTM , FQD6P25TF , FQD6P25TM , FQD7N10LTF , FQD7N10LTM , FQD7N10TM .

History: FQP3N90 | CJP05N60 | SVF2N70M | SVF3N80F | APT58M50JCU2 | FQPF34N20L | YJQ40G10A

 

 
Back to Top

 


 
.