IRFY130. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IRFY130
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14.4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 75 max ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
Тип корпуса: TO257AA
Аналог (замена) для IRFY130
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRFY130 даташит
irfy130.pdf
PD - 94183 IRFY130,IRFY130M POWER MOSFET 100V, N-CHANNEL THRU-HOLE (TO-257AA) HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Product Summary Part Number RDS(on) ID Eyelets IRFY130 0.18 14.4A Glass IRFY130M 0.18 14.4A Glass HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The TO-257AA efficient geometry design achieves very low on
irfy130c.pdf
PD - 91286D IRFY130C,IRFY130CM POWER MOSFET 100V, N-CHANNEL THRU-HOLE (TO-257AA) HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Product Summary Part Number RDS(on) ID Eyelets IRFY130C 0.18 14.4A Ceramic IRFY130CM 0.18 14.4A Ceramic HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The TO-257AA efficient geometry design achieves ve
irfy130m.pdf
PD - 94183 IRFY130,IRFY130M POWER MOSFET 100V, N-CHANNEL THRU-HOLE (TO-257AA) HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Product Summary Part Number RDS(on) ID Eyelets IRFY130 0.18 14.4A Glass IRFY130M 0.18 14.4A Glass HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The TO-257AA efficient geometry design achieves very low on
irfy130cm.pdf
PD - 91286D IRFY130C,IRFY130CM POWER MOSFET 100V, N-CHANNEL THRU-HOLE (TO-257AA) HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Product Summary Part Number RDS(on) ID Eyelets IRFY130C 0.18 14.4A Ceramic IRFY130CM 0.18 14.4A Ceramic HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The TO-257AA efficient geometry design achieves ve
Другие MOSFET... IRFWZ14A , IRFWZ24A , IRFWZ34A , IRFWZ44A , IRFY044 , IRFY044C , IRFY120 , IRFY120C , IRFB3607 , IRFY130C , IRFY140 , IRFY140C , IRFY240 , IRFY240C , IRFY340 , IRFY340C , IRFY430 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASA60R150E | ASA60R090EFDA | ASA60R090EFD | ASA50R130E | ADW120N080G2 | ADQ120N080G2 | ADG120N080G2 | AS6004 | 2N7002EY | AS2310A | 2N7002KM | 2N7002KH | AON5802 | AOSS62934 | AOSN21319C | AONS66966
Popular searches
2sc1419 | 2sc1124 | 2n408 | 2sc2690 | d718 datasheet | mp38 transistor | 2sc2389 | b331 transistor




