Справочник MOSFET. FQD7N20TM

 

FQD7N20TM MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: FQD7N20TM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5.3 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 8 nC

Время нарастания (tr): 65 ns

Выходная емкость (Cd): 60 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.69 Ohm

Тип корпуса: D-PAK

Аналог (замена) для FQD7N20TM

 

 

FQD7N20TM Datasheet (PDF)

1.1. fqd7n20tf fqd7n20tm fqd7n20 fqu7n20.pdf Size:802K _fairchild_semi

FQD7N20TM
FQD7N20TM

October 2008 QFET® FQD7N20 / FQU7N20 200V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect • 5.3A, 200V, RDS(on) = 0.69Ω @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild’s proprietary, • Low gate charge ( typical 8.0 nC) planar stripe, DMOS technology. • Low Crss ( typical 9.0 pF) This advanced technology has been especia

3.1. fqd7n20l fqu7n20l.pdf Size:569K _fairchild_semi

FQD7N20TM
FQD7N20TM

December 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQD7N20L / FQU7N20L 200V LOGIC N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect • 5.5A, 200V, RDS(on) = 0.75Ω @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild’s proprietary, • Low gate charge ( typical 6.8 nC) planar stripe, DMOS technology. • Low Crss ( typical 8.5 pF) This advanced

3.2. fqd7n20ltf fqd7n20ltm.pdf Size:622K _fairchild_semi

FQD7N20TM
FQD7N20TM

October 2008 QFET® FQD7N20L / FQU7N20L 200V LOGIC N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect • 5.5A, 200V, RDS(on) = 0.75Ω @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild’s proprietary, • Low gate charge ( typical 6.8 nC) planar stripe, DMOS technology. • Low Crss ( typical 8.5 pF) This advanced technology is especi

Другие MOSFET... IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRFP354 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , J111 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP441 , IRFP442 , IRFP443 .

 

 
Back to Top