IRFY130C - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IRFY130C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14.4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 75(max) ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
Тип корпуса: TO257AA
Аналог (замена) для IRFY130C
IRFY130C Datasheet (PDF)
irfy130c.pdf
PD - 91286DIRFY130C,IRFY130CMPOWER MOSFET100V, N-CHANNELTHRU-HOLE (TO-257AA)HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number RDS(on) ID EyeletsIRFY130C 0.18 14.4A CeramicIRFY130CM 0.18 14.4A CeramicHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. TheTO-257AAefficient geometry design achieves ve
irfy130cm.pdf
PD - 91286DIRFY130C,IRFY130CMPOWER MOSFET100V, N-CHANNELTHRU-HOLE (TO-257AA)HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number RDS(on) ID EyeletsIRFY130C 0.18 14.4A CeramicIRFY130CM 0.18 14.4A CeramicHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. TheTO-257AAefficient geometry design achieves ve
irfy130m.pdf
PD - 94183IRFY130,IRFY130MPOWER MOSFET100V, N-CHANNELTHRU-HOLE (TO-257AA)HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number RDS(on) ID EyeletsIRFY130 0.18 14.4A GlassIRFY130M 0.18 14.4A GlassHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. TheTO-257AAefficient geometry design achieves very low on
irfy130.pdf
PD - 94183IRFY130,IRFY130MPOWER MOSFET100V, N-CHANNELTHRU-HOLE (TO-257AA)HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number RDS(on) ID EyeletsIRFY130 0.18 14.4A GlassIRFY130M 0.18 14.4A GlassHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. TheTO-257AAefficient geometry design achieves very low on
Другие MOSFET... IRFWZ24A , IRFWZ34A , IRFWZ44A , IRFY044 , IRFY044C , IRFY120 , IRFY120C , IRFY130 , AON7506 , IRFY140 , IRFY140C , IRFY240 , IRFY240C , IRFY340 , IRFY340C , IRFY430 , IRFY430C .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM308MBP | AGM308MAR | AGM308MA | AGM308AP | AGM308A | AGM302A1 | AGM301C1 | AGM301A1 | AGM3015H | AGM3015D | AGM3015A | AGM3012AP-CP | AGM3005A | AGM2N7002K3 | AGM2N7002 | AGM30P20AP
Popular searches
2sc1124 | 2n408 | 2sc2690 | d718 datasheet | mp38 transistor | 2sc2389 | b331 transistor | 2sa720





