FQI10N60CTU - аналоги и даташиты транзистора

 

FQI10N60CTU - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FQI10N60CTU
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 69 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 166 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.73 Ohm
   Тип корпуса: I2-PAK
 

 Аналог (замена) для FQI10N60CTU

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQI10N60CTU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:614K  fairchild semi
 fqb10n60ctm fqi10n60ctu.pdf pdf_icon

FQI10N60CTU

TMQFETFQB10N60C / FQI10N60C600V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 9.5A, 600V, RDS(on) = 0.73 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 44 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 18 pF)This advanced technology has been especially tailore

 8.1. Size:608K  fairchild semi
 fqi10n20ctu.pdf pdf_icon

FQI10N60CTU

TMQFETFQB10N20C/FQI10N20C200V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 9.5A, 200V, RDS(on) = 0.36 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 20 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 40.5 pF)This advanced technology has been especially tailore

Другие MOSFET... FQD9N25TM , FQE10N20CTU , FQH140N10 , FQH18N50V2 , FQH44N10F133 , FQH70N10 , FQH90N15 , FQI10N20CTU , IRF840 , FQI11N40TU , FQI11P06TU , FQI12N50TU , FQI12N60CTU , FQI12N60TU , FQI13N06LTU , FQI13N06TU , FQI13N50CTU .

History: SMG3407 | AUIRFB4110 | R6504ENX | IXTA200N085T | NVH4L080N120SC1 | IPP60R125C6

 

 
Back to Top

 


 
.