FQI1P50TU - аналоги и даташиты транзистора

 

FQI1P50TU - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FQI1P50TU
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 10.5 Ohm
   Тип корпуса: I2-PAK
 

 Аналог (замена) для FQI1P50TU

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQI1P50TU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:934K  fairchild semi
 fqb1p50tm fqb1p50 fqi1p50 fqi1p50tu.pdf pdf_icon

FQI1P50TU

October 2008QFETFQB1P50 / FQI1P50500V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -1.5A, -500V, RDS(on) = 10.5 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 11 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 6.0 pF)This advanced technology is especially t

Другие MOSFET... FQI13N50CTU , FQI15P12TU , FQI16N25CTU , FQI17N08LTU , FQI17N08TU , FQI17P06TU , FQI19N20CTU , FQI19N20TU , 10N60 , FQI27N25TU , FQI27P06TU , FQI2N30TU , FQI2N90TU , FQI2NA90TU , FQI2P25TU , FQI34P10TU , FQI3N25TU .

History: SPW07N60CFD | IPB039N10N3GE8187 | STB25NM50N-1 | ZVN0124ASTOB | IPB03N03LBG | PP4B10AT | 2N60L-T60-T

 

 
Back to Top

 


 
.