FQI1P50TU. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQI1P50TU

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 10.5 Ohm

Тип корпуса: I2-PAK

Аналог (замена) для FQI1P50TU

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQI1P50TU даташит

 ..1. Size:934K  fairchild semi
 fqb1p50tm fqb1p50 fqi1p50 fqi1p50tu.pdf pdf_icon

FQI1P50TU

October 2008 QFET FQB1P50 / FQI1P50 500V P-Channel MOSFET General Description Features These P-Channel enhancement mode power field effect -1.5A, -500V, RDS(on) = 10.5 @VGS = -10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 11 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 6.0 pF) This advanced technology is especially t

Другие IGBT... FQI13N50CTU, FQI15P12TU, FQI16N25CTU, FQI17N08LTU, FQI17N08TU, FQI17P06TU, FQI19N20CTU, FQI19N20TU, 10N60, FQI27N25TU, FQI27P06TU, FQI2N30TU, FQI2N90TU, FQI2NA90TU, FQI2P25TU, FQI34P10TU, FQI3N25TU