Справочник MOSFET. FQI2P25TU

 

FQI2P25TU Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQI2P25TU
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm
   Тип корпуса: I2-PAK
 

 Аналог (замена) для FQI2P25TU

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQI2P25TU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:559K  fairchild semi
 fqb2p25tm fqi2p25tu.pdf pdf_icon

FQI2P25TU

April 2000TMQFETQFETQFETQFETFQB2P25 / FQI2P25250V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -2.3A, -250V, RDS(on) = 4.0 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 6.5 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 6.5 pF)This advanced technolo

Другие MOSFET... FQI19N20CTU , FQI19N20TU , FQI1P50TU , FQI27N25TU , FQI27P06TU , FQI2N30TU , FQI2N90TU , FQI2NA90TU , STP75NF75 , FQI34P10TU , FQI3N25TU , FQI3N30TU , FQI3N40TU , FQI3N90TU , FQI3P20TU , FQI3P50TU , FQI47P06TU .

 

 
Back to Top

 


 
.