FQI2P25TU. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQI2P25TU

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm

Тип корпуса: I2-PAK

Аналог (замена) для FQI2P25TU

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQI2P25TU даташит

 ..1. Size:559K  fairchild semi
 fqb2p25tm fqi2p25tu.pdf pdf_icon

FQI2P25TU

April 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQB2P25 / FQI2P25 250V P-Channel MOSFET General Description Features These P-Channel enhancement mode power field effect -2.3A, -250V, RDS(on) = 4.0 @VGS = -10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 6.5 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 6.5 pF) This advanced technolo

Другие IGBT... FQI19N20CTU, FQI19N20TU, FQI1P50TU, FQI27N25TU, FQI27P06TU, FQI2N30TU, FQI2N90TU, FQI2NA90TU, 7N65, FQI34P10TU, FQI3N25TU, FQI3N30TU, FQI3N40TU, FQI3N90TU, FQI3P20TU, FQI3P50TU, FQI47P06TU