FQI4P40TU. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQI4P40TU

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 85 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.1 Ohm

Тип корпуса: I2-PAK

Аналог (замена) для FQI4P40TU

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQI4P40TU даташит

 ..1. Size:642K  fairchild semi
 fqb4p40tm fqb4p40 fqi4p40 fqi4p40tu.pdf pdf_icon

FQI4P40TU

August 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQB4P40 / FQI4P40 400V P-Channel MOSFET General Description Features These P-Channel enhancement mode power field effect -3.5A, -400V, RDS(on) = 3.1 @VGS = -10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 18 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 11 pF) This advanced technolog

Другие IGBT... FQI3N40TU, FQI3N90TU, FQI3P20TU, FQI3P50TU, FQI47P06TU, FQI4N20TU, FQI4N25TU, FQI4N90TU, K3569, FQI50N06LTU, FQI50N06TU, FQI5N15TU, FQI5N20LTU, FQI5N20TU, FQI5N30TU, FQI5N40TU, FQI5N50CTU