Справочник MOSFET. FQI4P40TU

 

FQI4P40TU MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FQI4P40TU
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 85 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.1 Ohm
   Тип корпуса: I2-PAK

 Аналог (замена) для FQI4P40TU

 

 

FQI4P40TU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:642K  fairchild semi
 fqb4p40tm fqb4p40 fqi4p40 fqi4p40tu.pdf

FQI4P40TU FQI4P40TU

August 2000TMQFETQFETQFETQFETFQB4P40 / FQI4P40400V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -3.5A, -400V, RDS(on) = 3.1 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 18 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 11 pF)This advanced technolog

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top