FQI5P10TU. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQI5P10TU

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.05 Ohm

Тип корпуса: I2-PAK

Аналог (замена) для FQI5P10TU

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQI5P10TU даташит

 ..1. Size:653K  fairchild semi
 fqb5p10tm fqi5p10tu.pdf pdf_icon

FQI5P10TU

TM QFET FQB5P10 / FQI5P10 100V P-Channel MOSFET General Description Features These P-Channel enhancement mode power field effect -4.5A, -100V, RDS(on) = 1.05 @VGS = -10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 6.3 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 18 pF) This advanced technology has been especially tailore

Другие IGBT... FQI5N15TU, FQI5N20LTU, FQI5N20TU, FQI5N30TU, FQI5N40TU, FQI5N50CTU, FQI5N60CTU, FQI5N80TU, IRFB3607, FQI6N15TU, FQI6N40CTU, FQI6N50TU, FQI6N60CTU, FQI7N10LTU, FQI7N10TU, FQI7N60TU, FQI7N80TU