FQI5P10TU MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FQI5P10TU
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 6.3 nC
Время нарастания (tr): 70 ns
Выходная емкость (Cd): 70 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.05 Ohm
Тип корпуса: I2-PAK
FQI5P10TU Datasheet (PDF)
..1. Size:653K fairchild semi
fqb5p10tm fqi5p10tu.pdf
fqb5p10tm fqi5p10tu.pdf
TMQFETFQB5P10 / FQI5P10100V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -4.5A, -100V, RDS(on) = 1.05 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 6.3 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 18 pF)This advanced technology has been especially tailore
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
