FQL50N40. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQL50N40

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 460 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 510 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1000 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm

Тип корпуса: TO-264

Аналог (замена) для FQL50N40

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQL50N40 даташит

 ..1. Size:785K  fairchild semi
 fql50n40.pdf pdf_icon

FQL50N40

April 2000 TM QFET QFET QFET QFET 400V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 50A, 400V, RDS(on) = 0.075 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 160 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 105 pF) This advanced technology has be

Другие IGBT... FQI8N60CTU, FQI8P10TU, FQI9N08LTU, FQI9N08TU, FQI9N15TU, FQI9N25CTU, FQI9N50CTU, FQI9N50TU, RFP50N06, FQN1N50CBU, FQN1N50CTA, FQN1N60CBU, FQN1N60CTA, FQNL1N50BBU, FQNL1N50BTA, FQNL2N50BBU, FQNL2N50BTA