Справочник MOSFET. IRFY430C

 

IRFY430C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFY430C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 29.5(max) nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 30(max) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO257AA
 

 Аналог (замена) для IRFY430C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFY430C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:169K  international rectifier
 irfy430c.pdf pdf_icon

IRFY430C

PD - 91291CIRFY430C,IRFY430CMPOWER MOSFET500V, N-CHANNELTHRU-HOLE (TO-257AA) HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number RDS(on) ID EyeletsIRFY430C 1.5 4.5A CeramicIRFY430CM 1.5 4.5A CeramicHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. TheTO-257AAefficient geometry design achieves very lo

 0.1. Size:167K  international rectifier
 irfy430cm.pdf pdf_icon

IRFY430C

PD - 91291CIRFY430C,IRFY430CMPOWER MOSFET500V, N-CHANNELTHRU-HOLE (TO-257AA) HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number RDS(on) ID EyeletsIRFY430C 1.5 4.5A CeramicIRFY430CM 1.5 4.5A CeramicHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. TheTO-257AAefficient geometry design achieves very lo

 7.1. Size:168K  international rectifier
 irfy430.pdf pdf_icon

IRFY430C

PD - 94191IRFY430,IRFY430MPOWER MOSFET500V, N-CHANNELTHRU-HOLE (TO-257AA) HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number RDS(on) ID EyeletsIRFY430 1.5 4.5A GlassIRFY430M 1.5 4.5A GlassHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. TheTO-257AAefficient geometry design achieves very low on-stat

 7.2. Size:828K  semelab
 irfy430m.pdf pdf_icon

IRFY430C

N-CHANNEL POWER MOSFET IRFY430 / IRFY430M BVDSS = 500V, MOSFET Transistor In A Hermetic Metal TO-257AB Package Designed For Switching, Power Supply, Motor Control and Amplifier Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25C unless otherwise stated) VDS Drain Source Voltage 500V VGS Gate Source Voltage 20V ID Tc = 25C

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFY130C , IRFY140 , IRFY140C , IRFY240 , IRFY240C , IRFY340 , IRFY340C , IRFY430 , P60NF06 , IRFY440 , IRFY440C , IRFY9120 , IRFY9120C , IRFY9130 , IRFY9130C , IRFY9140 , IRFY9140C .

History: AP15P10GS-HF

 

 
Back to Top

 


 
.