Справочник MOSFET. FQP1N50

 

FQP1N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQP1N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 9 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для FQP1N50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQP1N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:725K  fairchild semi
 fqp1n50.pdf pdf_icon

FQP1N50

April 2000TMQFETQFETQFETQFET 500V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 1.4A, 500V, RDS(on) = 9.0 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 4.0 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 3.0 pF)This advanced technology has been

 9.1. Size:520K  fairchild semi
 fqp1n60.pdf pdf_icon

FQP1N50

QFET N-CHANNEL FQP1N60FEATURESBVDSS = 600V Advanced New DesignRDS(ON) = 11.5 Avalanche Rugged TechnologyID = 1.2A Rugged Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching CharacteristicsTO-220 Unrivalled Gate Charge: 5.0nC (Typ.) Extended Safe Operating Area1 Lower RDS(ON): 9.3 (Typ.) 231. Gate 2. Drain 3. Sou

Другие MOSFET... FQP17N08 , FQP17N08L , FQP18N20V2 , FQP18N50V2 , FQP19N10 , FQP19N10L , FQP19N20CTSTU , FQP19N20L , 2SK3918 , FQP1N60 , FQP1P50 , FQP20N06TSTU , FQP22P10 , FQP27P06SW82127 , FQP2N30 , FQP2N50 , FQP2N60 .

History: 6N60KL-TF2-T | VBZE80N10 | STP3N62K3 | AO4800 | ELM33408CA | 6N60KG-TF2-T | SLI80R380SJ

 

 
Back to Top

 


 
.