FQP1P50 - аналоги и даташиты транзистора

 

FQP1P50 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FQP1P50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 10.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для FQP1P50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQP1P50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:623K  fairchild semi
 fqp1p50.pdf pdf_icon

FQP1P50

June 2000TMQFETQFETQFETQFETFQP1P50500V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -1.5A, -500V, RDS(on) = 10.5 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 11 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 6.0 pF)This advanced technology has been

Другие MOSFET... FQP18N20V2 , FQP18N50V2 , FQP19N10 , FQP19N10L , FQP19N20CTSTU , FQP19N20L , FQP1N50 , FQP1N60 , MMIS60R580P , FQP20N06TSTU , FQP22P10 , FQP27P06SW82127 , FQP2N30 , FQP2N50 , FQP2N60 , FQP2NA90 , FQP2P25 .

 

 
Back to Top

 


 
.