Справочник MOSFET. FQP1P50

 

FQP1P50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQP1P50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 10.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FQP1P50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:623K  fairchild semi
 fqp1p50.pdf pdf_icon

FQP1P50

June 2000TMQFETQFETQFETQFETFQP1P50500V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -1.5A, -500V, RDS(on) = 10.5 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 11 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 6.0 pF)This advanced technology has been

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IXTQ10P50P | OSG55R074HSZF | FDC654P | SPD04N60C3 | 2SK1501 | IPD65R420CFD | PNMET20V06E

 

 
Back to Top

 


 
.