FQP1P50. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQP1P50

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 10.5 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для FQP1P50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQP1P50 даташит

 ..1. Size:623K  fairchild semi
 fqp1p50.pdf pdf_icon

FQP1P50

June 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQP1P50 500V P-Channel MOSFET General Description Features These P-Channel enhancement mode power field effect -1.5A, -500V, RDS(on) = 10.5 @VGS = -10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 11 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 6.0 pF) This advanced technology has been

Другие IGBT... FQP18N20V2, FQP18N50V2, FQP19N10, FQP19N10L, FQP19N20CTSTU, FQP19N20L, FQP1N50, FQP1N60, MMIS60R580P, FQP20N06TSTU, FQP22P10, FQP27P06SW82127, FQP2N30, FQP2N50, FQP2N60, FQP2NA90, FQP2P25