FQP33N10L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FQP33N10L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 127 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 33 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 30 nC
Время нарастания (tr): 470 ns
Выходная емкость (Cd): 305 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.052 Ohm
Тип корпуса: TO-220
FQP33N10L Datasheet (PDF)
fqp33n10l.pdf
September 2000TMQFETQFETQFETQFETFQP33N10L100V LOGIC N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 33A, 100V, RDS(on) = 0.052 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 30 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 70 pF)This advanced technology
fqp33n10.pdf
April 2000TMQFETQFETQFETQFETFQP33N10100V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 33A, 100V, RDS(on) = 0.052 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 38 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 62 pF)This advanced technology has been e
fqp33n10.pdf
Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
