Справочник MOSFET. FQP5P20

 

FQP5P20 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQP5P20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для FQP5P20

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQP5P20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:624K  fairchild semi
 fqp5p20.pdf pdf_icon

FQP5P20

May 2000TMQFETQFETQFETQFETFQP5P20200V P-Channel MOSFETGeneral DescriptionThese P-Channel enhancement mode power field effectFeaturestransistors are produced using Fairchilds proprietary,planar stripe, DMOS technology. -4.8A, -200V, RDS(on) = 1.4 @VGS = -10 VThis advanced technology has been especially tailored to Low gate charge ( typical 10 nC)minimi

 9.1. Size:644K  fairchild semi
 fqp5p10.pdf pdf_icon

FQP5P20

TMQFETFQP5P10100V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -4.5A, -100V, RDS(on) = 1.05 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 6.3 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 18 pF)This advanced technology has been especially tailored to

Другие MOSFET... FQP5N20 , FQP5N20L , FQP5N30 , FQP5N40 , FQP5N50C , FQP5N80 , FQP5N90 , FQP5P10 , K3569 , FQP630TSTU , FQP6N15 , FQP6N25 , FQP6N50 , FQP6N50C , FQP6N60 , FQP6N80 , IRF40B207 .

History: 5N65G-TN3-R | NCE60N1K0R | AOI600A60 | IPB60R160C6 | AOW125A60 | SSM5N16FE

 

 
Back to Top

 


 
.