IRF5210SPBF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRF5210SPBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 63 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 800 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для IRF5210SPBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF5210SPBF даташит

 ..1. Size:310K  international rectifier
 irf5210lpbf irf5210spbf.pdf pdf_icon

IRF5210SPBF

PD - 97049B IRF5210SPbF IRF5210LPbF HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology D l Ultra Low On-Resistance VDSS = -100V l 150 C Operating Temperature l Fast Switching RDS(on) = 60m l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax G l Some Parameters are Different from IRF5210S/L ID = -38A S l P-Channel l Lead-Free D D Description Features of this design are a 150 C

 ..2. Size:310K  international rectifier
 irf5210spbf irf5210lpbf.pdf pdf_icon

IRF5210SPBF

PD - 97049B IRF5210SPbF IRF5210LPbF HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology D l Ultra Low On-Resistance VDSS = -100V l 150 C Operating Temperature l Fast Switching RDS(on) = 60m l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax G l Some Parameters are Different from IRF5210S/L ID = -38A S l P-Channel l Lead-Free D D Description Features of this design are a 150 C

 ..3. Size:206K  inchange semiconductor
 irf5210spbf.pdf pdf_icon

IRF5210SPBF

 6.1. Size:186K  international rectifier
 irf5210s.pdf pdf_icon

IRF5210SPBF

PD - 91405C IRF5210S/L HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D Surface Mount (IRF5210S) VDSS = -100V Low-profile through-hole (IRF5210L) 175 C Operating Temperature RDS(on) = 0.06 Fast Switching G P-Channel ID = -40A Fully Avalanche Rated S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRF4905SPBF, IRF520NL, IRF520NLPBF, IRF520NPBF, IRF520S, IRF520SPBF, IRF5210LPBF, IRF5210PBF, AON7506, IRF5305LPBF, IRF5305PBF, IRF5305SPBF, IRF530NPBF, IRF530NSPBF, IRF530S, IRF540NLPBF, IRF540NPBF