Справочник MOSFET. IRF5210SPBF

 

IRF5210SPBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF5210SPBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 63 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 800 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для IRF5210SPBF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF5210SPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:310K  international rectifier
irf5210lpbf irf5210spbf.pdfpdf_icon

IRF5210SPBF

PD - 97049BIRF5210SPbFIRF5210LPbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process TechnologyDl Ultra Low On-ResistanceVDSS = -100Vl 150C Operating Temperaturel Fast SwitchingRDS(on) = 60ml Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxGl Some Parameters are Different fromIRF5210S/LID = -38ASl P-Channell Lead-FreeDDDescriptionFeatures of this design are a 150C

 ..2. Size:310K  international rectifier
irf5210spbf irf5210lpbf.pdfpdf_icon

IRF5210SPBF

PD - 97049BIRF5210SPbFIRF5210LPbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process TechnologyDl Ultra Low On-ResistanceVDSS = -100Vl 150C Operating Temperaturel Fast SwitchingRDS(on) = 60ml Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxGl Some Parameters are Different fromIRF5210S/LID = -38ASl P-Channell Lead-FreeDDDescriptionFeatures of this design are a 150C

 ..3. Size:206K  inchange semiconductor
irf5210spbf.pdfpdf_icon

IRF5210SPBF

INCHANGE Semiconductorisc P-Channel MOSFET Transistor IRF5210SPBFFEATURESP-channelWith TO-263(D2PAK) packagingUninterruptible power supplyHigh speed switchingUltra low on-resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationzAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

 6.1. Size:186K  international rectifier
irf5210s.pdfpdf_icon

IRF5210SPBF

PD - 91405CIRF5210S/LHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Surface Mount (IRF5210S)VDSS = -100V Low-profile through-hole (IRF5210L) 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.06 Fast SwitchingG P-ChannelID = -40A Fully Avalanche RatedSDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilizeadvanced processing techniques to achieve

Другие MOSFET... IRF4905SPBF , IRF520NL , IRF520NLPBF , IRF520NPBF , IRF520S , IRF520SPBF , IRF5210LPBF , IRF5210PBF , IRFP250 , IRF5305LPBF , IRF5305PBF , IRF5305SPBF , IRF530NPBF , IRF530NSPBF , IRF530S , IRF540NLPBF , IRF540NPBF .

History: DMP3035SFG

 

 
Back to Top

 


 
.