IRF5M3710. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRF5M3710

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 105 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 670 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: TO-254AA

Аналог (замена) для IRF5M3710

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF5M3710 даташит

 ..1. Size:112K  international rectifier
 irf5m3710.pdf pdf_icon

IRF5M3710

PD - 94234 HEXFET POWER MOSFET IRF5M3710 THRU-HOLE (TO-254AA) 100V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID 100V 0.03 35A* IRF5M3710 Fifth Generation HEXFET power MOSFETs from TO-254AA International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance Features per silicon unit area. This benefit, combined with the

 8.1. Size:111K  international rectifier
 irf5m3205.pdf pdf_icon

IRF5M3710

PD - 94292A HEXFET POWER MOSFET IRF5M3205 THRU-HOLE (TO-254AA) 55V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID 55V 0.015 35A* IRF5M3205 Fifth Generation HEXFET power MOSFETs from TO-254AA International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance Features per silicon unit area. This benefit, combined with the

 8.2. Size:111K  international rectifier
 irf5m3415.pdf pdf_icon

IRF5M3710

PD - 94286A HEXFET POWER MOSFET IRF5M3415 THRU-HOLE (TO-254AA) 150V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID 150V 0.049 35A IRF5M3415 Fifth Generation HEXFET power MOSFETs from TO-254AA International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance Features per silicon unit area. This benefit, combined with the

 9.1. Size:112K  international rectifier
 irf5m5210.pdf pdf_icon

IRF5M3710

PD - 94247 HEXFET POWER MOSFET IRF5M5210 THRU-HOLE (TO-254AA) 100V, P-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID -100V 0.07 -34A IRF5M5210 Fifth Generation HEXFET power MOSFETs from TO-254AA International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance Features per silicon unit area. This benefit, combined with the

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRF5801PBF-1, IRF5803D2PBF, IRF5804, IRF5805PBF, IRF5806PBF, IRF5EA1310, IRF5M3205, IRF5M3415, 75N75, IRF5M4905, IRF5M5210, IRF5N3205, IRF5N3415, IRF5N3710, IRF5N4905, IRF5N5210, IRF5NJ3315