Справочник MOSFET. IRF5M5210

 

IRF5M5210 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF5M5210
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 824 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: TO-254AA
 

 Аналог (замена) для IRF5M5210

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF5M5210 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:112K  international rectifier
 irf5m5210.pdf pdf_icon

IRF5M5210

PD - 94247HEXFET POWER MOSFET IRF5M5210THRU-HOLE (TO-254AA)100V, P-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID -100V 0.07 -34A IRF5M5210Fifth Generation HEXFET power MOSFETs fromTO-254AAInternational Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve the lowest possible on-resistanceFeatures:per silicon unit area. This benefit, combined with the

 9.1. Size:112K  international rectifier
 irf5m3710.pdf pdf_icon

IRF5M5210

PD - 94234HEXFET POWER MOSFET IRF5M3710THRU-HOLE (TO-254AA)100V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID 100V 0.03 35A* IRF5M3710Fifth Generation HEXFET power MOSFETs fromTO-254AAInternational Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve the lowest possible on-resistanceFeatures:per silicon unit area. This benefit, combined with the

 9.2. Size:111K  international rectifier
 irf5m3205.pdf pdf_icon

IRF5M5210

PD - 94292AHEXFET POWER MOSFET IRF5M3205THRU-HOLE (TO-254AA)55V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID 55V 0.015 35A* IRF5M3205Fifth Generation HEXFET power MOSFETs fromTO-254AAInternational Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve the lowest possible on-resistanceFeatures:per silicon unit area. This benefit, combined with the

 9.3. Size:111K  international rectifier
 irf5m3415.pdf pdf_icon

IRF5M5210

PD - 94286AHEXFET POWER MOSFET IRF5M3415THRU-HOLE (TO-254AA)150V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID 150V 0.049 35A IRF5M3415Fifth Generation HEXFET power MOSFETs fromTO-254AAInternational Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve the lowest possible on-resistanceFeatures:per silicon unit area. This benefit, combined with the

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRF5804 , IRF5805PBF , IRF5806PBF , IRF5EA1310 , IRF5M3205 , IRF5M3415 , IRF5M3710 , IRF5M4905 , IRF730 , IRF5N3205 , IRF5N3415 , IRF5N3710 , IRF5N4905 , IRF5N5210 , IRF5NJ3315 , IRF5NJ5305 , IRF5NJ540 .

History: CEP03N8 | 2SK2739 | PHB193NQ06T | 2SK3203 | MTM68410 | AOB298L | BLL1214-35

 

 
Back to Top

 


 
.