IRF5NJ3315. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IRF5NJ3315
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
Тип корпуса: SMD-0.5
Аналог (замена) для IRF5NJ3315
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRF5NJ3315 даташит
irf5nj3315.pdf
PD-94287B HEXFET POWER MOSFET IRF5NJ3315 SURFACE MOUNT (SMD-0.5) 150V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF5NJ3315 150V 0.08 20A Fifth Generation HEXFET power MOSFETs from SMD-0.5 International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance Features per silicon unit area. This benefit, combined with the
irf5njz48.pdf
PD - 94034 IRF5NJZ48 HEXFET POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-0.5) 55V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF5NJZ48 55V 0.016 22A* Fifth Generation HEXFET power MOSFETs from SMD-0.5 International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon unit area. This benefit, combined with the Features fa
irf5nj9540.pdf
PD - 94038A HEXFET POWER MOSFET IRF5NJ9540 SURFACE MOUNT (SMD-0.5) 100V, P-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF5NJ9540 -100V 0.117 -18A Fifth Generation HEXFET power MOSFETs from SMD-0.5 International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance Features per silicon unit area. This benefit, combined with
irf5nj5305.pdf
PD - 94033 HEXFET POWER MOSFET IRF5NJ5305 SURFACE MOUNT (SMD-0.5) 55V, P-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF5NJ5305 -55V 0.065 -22A* Fifth Generation HEXFET power MOSFETs from SMD-0.5 International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance Features per silicon unit area. This benefit, combined with th
Другие IGBT... IRF5M3710, IRF5M4905, IRF5M5210, IRF5N3205, IRF5N3415, IRF5N3710, IRF5N4905, IRF5N5210, IRF830, IRF5NJ5305, IRF5NJ540, IRF5NJ6215, IRF5NJ9540, IRF5NJZ34, IRF5NJZ48, IRF5Y1310CM, IRF5Y31N20
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1 | CRTT067N10N | AP6NA3R2MT | AP65SA145DDT8 | AP4NAR95CMT-A | AP4024GEMT-HF | AP3P050AH | AP3P020H | AP3N9R5YT | AP3N9R5MT
Popular searches
ksa992 | irfb4227 | irfb4110 | tip36c | bd139 transistor | irf840 datasheet | ge10001 | irf830







