IRF5NJ540. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IRF5NJ540
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 125 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 353 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.052 Ohm
Тип корпуса: SMD-0.5
Аналог (замена) для IRF5NJ540
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRF5NJ540 даташит
irf5nj540.pdf
PD - 94020A IRF5NJ540 HEXFET POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-0.5) 100V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF5NJ540 100V 0.052 22A* Fifth Generation HEXFET power MOSFETs from SMD-0.5 International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon unit area. This benefit, combined with the Features
irf5nj5305.pdf
PD - 94033 HEXFET POWER MOSFET IRF5NJ5305 SURFACE MOUNT (SMD-0.5) 55V, P-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF5NJ5305 -55V 0.065 -22A* Fifth Generation HEXFET power MOSFETs from SMD-0.5 International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance Features per silicon unit area. This benefit, combined with th
irf5nj3315.pdf
PD-94287B HEXFET POWER MOSFET IRF5NJ3315 SURFACE MOUNT (SMD-0.5) 150V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF5NJ3315 150V 0.08 20A Fifth Generation HEXFET power MOSFETs from SMD-0.5 International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance Features per silicon unit area. This benefit, combined with the
irf5njz48.pdf
PD - 94034 IRF5NJZ48 HEXFET POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-0.5) 55V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF5NJZ48 55V 0.016 22A* Fifth Generation HEXFET power MOSFETs from SMD-0.5 International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon unit area. This benefit, combined with the Features fa
Другие IGBT... IRF5M5210, IRF5N3205, IRF5N3415, IRF5N3710, IRF5N4905, IRF5N5210, IRF5NJ3315, IRF5NJ5305, IRF9640, IRF5NJ6215, IRF5NJ9540, IRF5NJZ34, IRF5NJZ48, IRF5Y1310CM, IRF5Y31N20, IRF5Y3315CM, IRF5Y3710CM
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1 | CRTT067N10N | AP6NA3R2MT | AP65SA145DDT8 | AP4NAR95CMT-A | AP4024GEMT-HF | AP3P050AH | AP3P020H | AP3N9R5YT | AP3N9R5MT
Popular searches
irfb4110 | tip36c | bd139 transistor | irf840 datasheet | ge10001 | irf830 | irfp450 | mj21193







