IRF5Y31N20. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRF5Y31N20

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 148 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 370 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.092 Ohm

Тип корпуса: TO-257AA

Аналог (замена) для IRF5Y31N20

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF5Y31N20 даташит

 ..1. Size:97K  international rectifier
 irf5y31n20.pdf pdf_icon

IRF5Y31N20

PD - 94349A HEXFET POWER MOSFET IRF5Y31N20 THRU-HOLE (TO-257AA) 200V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF5Y31N20 200V 0.092 18A* Fifth Generation HEXFET power MOSFETs from TO-257AA International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance Features per silicon unit area. This benefit, combined with the

 8.1. Size:103K  international rectifier
 irf5y3205cm.pdf pdf_icon

IRF5Y31N20

PD - 94179A HEXFET POWER MOSFET IRF5Y3205CM THRU-HOLE (TO-257AA) 55V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID 0.022 18A* IRF5Y3205CM 55V Fifth Generation HEXFET power MOSFETs from TO-257AA International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon unit area. This benefit, combined with the Features

 8.2. Size:103K  international rectifier
 irf5y3710cm.pdf pdf_icon

IRF5Y31N20

PD - 94178 HEXFET POWER MOSFET IRF5Y3710CM THRU-HOLE (TO-257AA) 100V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF5Y3710CM 100V 0.035 18A* Fifth Generation HEXFET power MOSFETs from TO-257AA International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon unit area. This benefit, combined with the Features

 8.3. Size:104K  international rectifier
 irf5y3315cm.pdf pdf_icon

IRF5Y31N20

PD - 94268 HEXFET POWER MOSFET IRF5Y3315CM THRU-HOLE (TO-257AA) 150V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF5Y3315CM 150V 0.085 18A* Fifth Generation HEXFET power MOSFETs from TO-257AA International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon unit area. This benefit, combined with the Features

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRF5NJ3315, IRF5NJ5305, IRF5NJ540, IRF5NJ6215, IRF5NJ9540, IRF5NJZ34, IRF5NJZ48, IRF5Y1310CM, MMIS60R580P, IRF5Y3315CM, IRF5Y3710CM, IRF5Y5305CM, IRF5Y540CM, IRF5Y6215CM, IRF5Y9540CM, IRF5YZ48CM, IRF6100