Справочник MOSFET. IRF5Y31N20

 

IRF5Y31N20 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF5Y31N20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 148 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 370 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.092 Ohm
   Тип корпуса: TO-257AA
 

 Аналог (замена) для IRF5Y31N20

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF5Y31N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:97K  international rectifier
 irf5y31n20.pdf pdf_icon

IRF5Y31N20

PD - 94349AHEXFET POWER MOSFET IRF5Y31N20THRU-HOLE (TO-257AA)200V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF5Y31N20 200V 0.092 18A*Fifth Generation HEXFET power MOSFETs fromTO-257AAInternational Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve the lowest possible on-resistanceFeatures:per silicon unit area. This benefit, combined with the

 8.1. Size:103K  international rectifier
 irf5y3205cm.pdf pdf_icon

IRF5Y31N20

PD - 94179AHEXFET POWER MOSFET IRF5Y3205CMTHRU-HOLE (TO-257AA)55V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID 0.022 18A* IRF5Y3205CM 55VFifth Generation HEXFET power MOSFETs fromTO-257AAInternational Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve the lowest possible on-resistanceper silicon unit area. This benefit, combined with the Features

 8.2. Size:103K  international rectifier
 irf5y3710cm.pdf pdf_icon

IRF5Y31N20

PD - 94178HEXFET POWER MOSFET IRF5Y3710CMTHRU-HOLE (TO-257AA)100V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF5Y3710CM 100V 0.035 18A*Fifth Generation HEXFET power MOSFETs fromTO-257AAInternational Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve the lowest possible on-resistanceper silicon unit area. This benefit, combined with the Features:

 8.3. Size:104K  international rectifier
 irf5y3315cm.pdf pdf_icon

IRF5Y31N20

PD - 94268HEXFET POWER MOSFET IRF5Y3315CMTHRU-HOLE (TO-257AA)150V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF5Y3315CM 150V 0.085 18A*Fifth Generation HEXFET power MOSFETs fromTO-257AAInternational Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve the lowest possible on-resistanceper silicon unit area. This benefit, combined with the Features:

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRF5NJ3315 , IRF5NJ5305 , IRF5NJ540 , IRF5NJ6215 , IRF5NJ9540 , IRF5NJZ34 , IRF5NJZ48 , IRF5Y1310CM , 2N7002 , IRF5Y3315CM , IRF5Y3710CM , IRF5Y5305CM , IRF5Y540CM , IRF5Y6215CM , IRF5Y9540CM , IRF5YZ48CM , IRF6100 .

History: BL15N25-D | APQ4ESN50A | AP65SL380AI | 2SK2136 | NCE65T180D | SWB13N65K2 | SSF80100

 

 
Back to Top

 


 
.