IRF5YZ48CM. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IRF5YZ48CM
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 78 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 620 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.29 Ohm
Тип корпуса: TO-257AA
Аналог (замена) для IRF5YZ48CM
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRF5YZ48CM даташит
irf5yz48cm.pdf
PD - 94019A HEXFET POWER MOSFET IRF5YZ48CM THRU-HOLE (TO-257AA) 55V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID 0.029 18A* IRF5YZ48CM 55V Fifth Generation HEXFET power MOSFETs from TO-257AA International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon unit area. This benefit, combined with the Features
irf5y3205cm.pdf
PD - 94179A HEXFET POWER MOSFET IRF5Y3205CM THRU-HOLE (TO-257AA) 55V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID 0.022 18A* IRF5Y3205CM 55V Fifth Generation HEXFET power MOSFETs from TO-257AA International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon unit area. This benefit, combined with the Features
irf5y6215cm.pdf
PD-94165A HEXFET POWER MOSFET IRF5Y6215CM THRU-HOLE (TO-257AA) 150V, P-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF5Y6215CM -150V 0.29 -11A Fifth Generation HEXFET power MOSFETs from TO-257AA International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon unit area. This benefit, combined with the Features
irf5y1310cm.pdf
PD - 94058 HEXFET POWER MOSFET IRF5Y1310CM THRU-HOLE (TO-257AA) 100V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF5Y1310CM 100V 0.044 18A* Fifth Generation HEXFET power MOSFETs from TO-257AA International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon unit area. This benefit, combined with the Features
Другие IGBT... IRF5Y1310CM, IRF5Y31N20, IRF5Y3315CM, IRF5Y3710CM, IRF5Y5305CM, IRF5Y540CM, IRF5Y6215CM, IRF5Y9540CM, IRFZ44N, IRF6100, IRF6100PBF, IRF610L, IRF610LPBF, IRF610PBF, IRF610SPBF, IRF614PBF, IRF614SPBF
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1 | CRTT067N10N | AP6NA3R2MT | AP65SA145DDT8 | AP4NAR95CMT-A | AP4024GEMT-HF | AP3P050AH | AP3P020H | AP3N9R5YT | AP3N9R5MT
Popular searches
2n3773 | b772 transistor | 50n06 | mje350 | 2n3866 | irf 3205 | 2n5088 equivalent | d882 transistor










