FQPF19N10L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQPF19N10L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 410 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для FQPF19N10L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQPF19N10L даташит

 ..1. Size:616K  fairchild semi
 fqpf19n10l.pdf pdf_icon

FQPF19N10L

August 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQPF19N10L 100V LOGIC N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 13.6A, 100V, RDS(on) = 0.1 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 14 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 35 pF) This advanced technology h

 5.1. Size:581K  fairchild semi
 fqpf19n10.pdf pdf_icon

FQPF19N10L

August 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQPF19N10 100V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 13.6A, 100V, RDS(on) = 0.1 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 19 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 32 pF) This advanced technology has been

 7.1. Size:686K  fairchild semi
 fqpf19n20t.pdf pdf_icon

FQPF19N10L

April 2000 TM QFET QFET QFET QFET 200V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 11.8A, 200V, RDS(on) = 0.15 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 31 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 30 pF) This advanced technology has be

 7.2. Size:1168K  fairchild semi
 fqp19n20ctstu fqp19n20c fqpf19n20c fqpf19n20cydtu.pdf pdf_icon

FQPF19N10L

QFET FQP19N20C/FQPF19N20C 200V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 19.0A, 200V, RDS(on) = 0.17 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 40.5 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 85 pF) This advanced technology has been especially tailo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... FQPF16N25, FQPF17N08, FQPF17N08L, FQPF17N40T, FQPF17P06, FQPF17P10, FQPF18N20V2, FQPF18N50V2, 5N60, FQPF19N20CYDTU, FQPF19N20T, FQPF1N50, FQPF1N60, FQPF1N60T, FQPF1P50, FQPF27N25T, FQPF28N15