FQPF7N80. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQPF7N80

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для FQPF7N80

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQPF7N80 даташит

 ..1. Size:787K  fairchild semi
 fqpf7n80.pdf pdf_icon

FQPF7N80

April 2000 TM QFET QFET QFET QFET 800V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 3.8A, 800V, RDS(on) = 1.5 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 40 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 19 pF) This advanced technology has been e

 0.1. Size:848K  fairchild semi
 fqp7n80c fqpf7n80c.pdf pdf_icon

FQPF7N80

TM QFET FQP7N80C/FQPF7N80C 800V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 6.6A, 800V, RDS(on) = 1.9 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 27 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 10 pF) This advanced technology has been especially tailored to

 0.2. Size:849K  onsemi
 fqp7n80c fqpf7n80c.pdf pdf_icon

FQPF7N80

TM QFET FQP7N80C/FQPF7N80C 800V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 6.6A, 800V, RDS(on) = 1.9 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 27 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 10 pF) This advanced technology has been especially tailored to

 0.3. Size:218K  inchange semiconductor
 fqpf7n80c.pdf pdf_icon

FQPF7N80

isc N-Channel MOSFET Transistor FQPF7N80C FEATURES Drain-source on-resistance RDS(on) 1.9 @10V Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Vol

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... FQPF6P25, FQPF7N10, FQPF7N10L, FQPF7N20, FQPF7N20L, FQPF7N40, FQPF7N65CF105, FQPF7N65CYDTU, AON7410, FQPF7P06, FQPF8N60CT, FQPF8N60CYDTU, FQPF8N80CYDTU, FQPF8P10, FQPF90N10V2, FQPF9N08, FQPF9N08L