FQU12N20TU - аналоги и даташиты транзистора

 

FQU12N20TU - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FQU12N20TU
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
   Тип корпуса: I-PAK
 

 Аналог (замена) для FQU12N20TU

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQU12N20TU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:801K  fairchild semi
 fqd12n20tf fqd12n20tm fqd12n20 fqu12n20 fqu12n20tu.pdf pdf_icon

FQU12N20TU

January 2009QFETFQD12N20 / FQU12N20200V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 9.0A, 200V, RDS(on) = 0.28 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 18 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 18 pF)This advanced technology has been especia

 6.1. Size:699K  fairchild semi
 fqd12n20ltf fqd12n20ltm fqd12n20l fqu12n20l.pdf pdf_icon

FQU12N20TU

January 2009QFETFQD12N20L / FQU12N20L200V LOGIC N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 9.0A, 200V, RDS(on) = 0.28 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 16 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 17 pF)This advanced technology has been

Другие MOSFET... FQT4N25TF , FQT5P10TF , FQT7N10LTF , FQT7N10TF , FQU10N20CTU , FQU10N20LTU , FQU10N20TU , FQU11P06TU , NCEP15T14 , FQU13N06LTU , FQU13N06TU , FQU13N10TU , FQU17P06TU , FQU1N50TU , FQU1N60CTU , FQU1N60TU , FQU1N80TU .

History: TPB65R070D | BSP300 | IPP139N08N3G | RSM002N06 | MDIS2N65BTH | IRL3714ZSPBF | AP65SL380DI

 

 
Back to Top

 


 
.