FQU13N06TU. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQU13N06TU

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm

Тип корпуса: I-PAK

Аналог (замена) для FQU13N06TU

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQU13N06TU даташит

 ..1. Size:731K  fairchild semi
 fqd13n06tf fqd13n06tm fqd13n06 fqu13n06 fqu13n06tu.pdf pdf_icon

FQU13N06TU

January 2009 QFET FQD13N06 / FQU13N06 60V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 10A, 60V, RDS(on) = 0.14 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 5.8 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 15 pF) This advanced technology has been especially

 6.1. Size:733K  fairchild semi
 fqd13n06ltf fqd13n06ltm fqd13n06l fqu13n06l fqu13n06ltu.pdf pdf_icon

FQU13N06TU

January 2009 QFET FQD13N06L / FQU13N06L 60V LOGIC N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 11A, 60V, RDS(on) = 0.115 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 4.8 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 17 pF) This advanced technology has been e

 6.2. Size:1008K  onsemi
 fqd13n06l fqu13n06l.pdf pdf_icon

FQU13N06TU

FQD13N06L / FQU13N06L N-Channel QFET MOSFET 60 V, 11 A, 115 m Features 11 A, 60 V, RDS(on) = 115 m (Max) @ VGS = 10 V, Description ID = 5.5 A This N-Channel enhancement mode power MOSFET is Low Gate Charge (Typ. 4.8 nC) produced using ON Semiconductor s proprietary Low Crss (Typ. 17 pF) planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has b

 6.3. Size:1671K  cn vbsemi
 fqu13n06.pdf pdf_icon

FQU13N06TU

FQU13N06 www.VBsemi.tw N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.032 at VGS = 10 V 35d TrenchFET Power MOSFET 60 21.7 0.037 at VGS = 4.5 V 30d 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Power Supply D TO-251 - Secondar

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... FQT7N10LTF, FQT7N10TF, FQU10N20CTU, FQU10N20LTU, FQU10N20TU, FQU11P06TU, FQU12N20TU, FQU13N06LTU, IRFZ48N, FQU13N10TU, FQU17P06TU, FQU1N50TU, FQU1N60CTU, FQU1N60TU, FQU1N80TU, FQU20N06TU, FQU2N100TU