FQU2N90TU. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQU2N90TU

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7.2 Ohm

Тип корпуса: I-PAK

Аналог (замена) для FQU2N90TU

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQU2N90TU даташит

 ..1. Size:841K  fairchild semi
 fqd2n90tf fqd2n90tm fqd2n90 fqu2n90 fqu2n90tu.pdf pdf_icon

FQU2N90TU

January 2009 QFET FQD2N90 / FQU2N90 900V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 1.7A, 900V, RDS(on) = 7.2 @ VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 12 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 5.5 pF) This advanced technology has been especi

 7.1. Size:1291K  fairchild semi
 fqu2n90.pdf pdf_icon

FQU2N90TU

January 2014 FQD2N90 / FQU2N90 N-Channel QFET MOSFET 900 V, 1.7 A, 7.2 Description Features This N-Channel enhancement mode power MOSFET is 1.7 A, 900 V, RDS(on) = 7.2 (Max.) @ VGS = 10 V, produced using Fairchild Semiconductor s proprietary ID = 0.85 A planar stripe and DMOS technology. This advanced Low Gate Charge (Typ. 12 nC) MOSFET technology has been especiall

 7.2. Size:2037K  onsemi
 fqd2n90 fqu2n90.pdf pdf_icon

FQU2N90TU

FQD2N90 / FQU2N90 N-Channel QFET MOSFET 900 V, 1.7 A, 7.2 Features 1.7 A, 900 V, RDS(on) = 7.2 (Max.) @ VGS = 10 V, ID = 0.85 A Description Low Gate Charge (Typ. 12 nC) This N-Channel enhancement mode power MOSFET is Low Crss (Typ. 5.5 pF) produced using ON Semiconductor s proprietary 100% Avalanche Tested planar stripe and DMOS technology. This advanced

 9.1. Size:731K  fairchild semi
 fqd2n100tf fqd2n100tm fqd2n100 fqu2n100 fqu2n100tu.pdf pdf_icon

FQU2N90TU

January 2009 QFET FQD2N100/FQU2N100 1000V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 1.6A, 1000V, RDS(on) = 9 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 12 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 5 pF) This advanced technology has been especially t

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... FQU1N80TU, FQU20N06TU, FQU2N100TU, FQU2N50BTU, FQU2N60CTU, FQU2N60TU, FQU2N80, FQU2N80TU, IRFP064N, FQU30N06LTU, FQU3N40TU, FQU3N60, FQU3N60CTU, FQU3N60TU, FQU3P20TU, FQU3P50TU, FQU4N20TU