Справочник MOSFET. FQU5N60CTU

 

FQU5N60CTU Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQU5N60CTU
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 49 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: I-PAK
 

 Аналог (замена) для FQU5N60CTU

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQU5N60CTU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:636K  fairchild semi
 fqd5n60ctf fqd5n60ctm fqd5n60c fqu5n60c fqu5n60ctu.pdf pdf_icon

FQU5N60CTU

October 2008QFETFQD5N60C / FQU5N60C 600V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 2.8A, 600V, RDS(on) = 2.5 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 15 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 6.5 pF)This advanced technology has been especia

 6.1. Size:984K  onsemi
 fqd5n60c fqu5n60c.pdf pdf_icon

FQU5N60CTU

FQD5N60C / FQU5N60CN-Channel QFET MOSFET600 V, 2.8 A, 2.5 Features Description 2.8 A, 600 V, RDS(on) = 2.5 (Max.) @ VGS = 10 V, ID = 1.4 A This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using ON Semiconductors proprietary planar Low Gate Charge ( Typ. 15 nC)stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET Low Crss (Typ. 6.5 pF)technology has bee

 9.1. Size:695K  fairchild semi
 fqd5n20 fqu5n20.pdf pdf_icon

FQU5N60CTU

April 2000TMQFETQFETQFETQFETFQD5N20 / FQU5N20200V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 3.8A, 200V, RDS(on) = 1.2 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 6.0 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 6.0 pF)This advanced technology

 9.2. Size:730K  fairchild semi
 fqd5n40tf fqd5n40tm fqu5n40tu.pdf pdf_icon

FQU5N60CTU

April 2000TMQFETQFETQFETQFETFQD5N40 / FQU5N40400V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 3.4A, 400V, RDS(on) = 1.6 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 10 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 7.0 pF)This advanced technology

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FQU3N60TU , FQU3P20TU , FQU3P50TU , FQU4N20TU , FQU4N25TU , FQU5N40TU , FQU5N50CTU , FQU5N50TU , IRFP460 , FQU5P20TU , FQU6N40CTU , FQU6P25TU , FQU7N10LTU , FQU7P06TU , FQU7P20TU , FQU8N25TU , FQU8P10TU .

History: FDFMA2P853T | IXTU01N100D | AP40P03GP | TSM40N03PQ56 | IPA029N06N | 2SK2979 | IRF242

 

 
Back to Top

 


 
.