FQU6P25TU. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQU6P25TU

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm

Тип корпуса: I-PAK

Аналог (замена) для FQU6P25TU

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQU6P25TU даташит

 ..1. Size:624K  fairchild semi
 fqd6p25tf fqd6p25tm fqu6p25tu.pdf pdf_icon

FQU6P25TU

October 2008 QFET FQD6P25 / FQU6P25 250V P-Channel MOSFET General Description Features These P-Channel enhancement mode power field effect -4.7A, -250V, RDS(on) = 1.1 @VGS = -10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 21 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 20 pF) This advanced technology has been especia

Другие IGBT... FQU4N20TU, FQU4N25TU, FQU5N40TU, FQU5N50CTU, FQU5N50TU, FQU5N60CTU, FQU5P20TU, FQU6N40CTU, IRFB4110, FQU7N10LTU, FQU7P06TU, FQU7P20TU, FQU8N25TU, FQU8P10TU, FQU9N25TU, IRF6216PBF, IRF6216PBF-1