FQU8P10TU MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FQU8P10TU
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 44 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6.6 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 12 nC
Время нарастания (tr): 110 ns
Выходная емкость (Cd): 120 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.53 Ohm
Тип корпуса: I-PAK
FQU8P10TU Datasheet (PDF)
..1. Size:705K fairchild semi
fqd8p10tf fqd8p10tm fqd8p10 fqu8p10 fqu8p10tu.pdf
fqd8p10tf fqd8p10tm fqd8p10 fqu8p10 fqu8p10tu.pdf
TMQFETFQD8P10 / FQU8P10100V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -6.6A, -100V, RDS(on) = 0.53 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 12 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 30 pF)This advanced technology has been especially tailored
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
