Справочник MOSFET. FQU8P10TU

 

FQU8P10TU Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQU8P10TU
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 12 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.53 Ohm
   Тип корпуса: I-PAK
 

 Аналог (замена) для FQU8P10TU

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQU8P10TU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:705K  fairchild semi
 fqd8p10tf fqd8p10tm fqd8p10 fqu8p10 fqu8p10tu.pdf pdf_icon

FQU8P10TU

TMQFETFQD8P10 / FQU8P10100V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -6.6A, -100V, RDS(on) = 0.53 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 12 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 30 pF)This advanced technology has been especially tailored

Другие MOSFET... FQU5N60CTU , FQU5P20TU , FQU6N40CTU , FQU6P25TU , FQU7N10LTU , FQU7P06TU , FQU7P20TU , FQU8N25TU , P55NF06 , FQU9N25TU , IRF6216PBF , IRF6216PBF-1 , IRF6217PBF , IRF6217PBF-1 , IRF6218L , IRF6218PBF , IRF6218SPBF .

 

 
Back to Top

 


 
.