FQU8P10TU. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQU8P10TU

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.53 Ohm

Тип корпуса: I-PAK

Аналог (замена) для FQU8P10TU

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQU8P10TU даташит

 ..1. Size:705K  fairchild semi
 fqd8p10tf fqd8p10tm fqd8p10 fqu8p10 fqu8p10tu.pdf pdf_icon

FQU8P10TU

TM QFET FQD8P10 / FQU8P10 100V P-Channel MOSFET General Description Features These P-Channel enhancement mode power field effect -6.6A, -100V, RDS(on) = 0.53 @VGS = -10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 12 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 30 pF) This advanced technology has been especially tailored

Другие IGBT... FQU5N60CTU, FQU5P20TU, FQU6N40CTU, FQU6P25TU, FQU7N10LTU, FQU7P06TU, FQU7P20TU, FQU8N25TU, IRF3710, FQU9N25TU, IRF6216PBF, IRF6216PBF-1, IRF6217PBF, IRF6217PBF-1, IRF6218L, IRF6218PBF, IRF6218SPBF