Справочник MOSFET. IRF634NLPBF

 

IRF634NLPBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRF634NLPBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 88 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 84 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.435 Ohm
   Тип корпуса: TO-262

 Аналог (замена) для IRF634NLPBF

 

 

IRF634NLPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:125K  vishay
 irf634nlpbf irf634nspbf.pdf

IRF634NLPBF IRF634NLPBF

IRF634N, IRF634NL, IRF634NS, SiHF634N, SiHF634NL, SiHF634NSVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Advanced Process TechnologyVDS (V) 250 Available Dynamic dV/dt Rating RoHS*RDS(on) ()VGS = 10 V 0.435 175 C Operating Temperature COMPLIANTQg (Max.) (nC) 34 Fast SwitchingQgs (nC) 6.5 Fully Avalanche Rated Ease of ParallelingQgd (nC

 6.1. Size:158K  vishay
 irf634n irf634nl irf634ns sihf634n sihf634nl sihf634ns.pdf

IRF634NLPBF IRF634NLPBF

IRF634N, IRF634NL, IRF634NS, SiHF634N, SiHF634NL, SiHF634NSVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Advanced Process TechnologyVDS (V) 250 Dynamic dV/dt Rating AvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.435 175 C Operating TemperatureRoHS* Fast Switching COMPLIANTQg (Max.) (nC) 34 Fully Avalanche RatedQgs (nC) 6.5 Ease of ParallelingQgd (nC

 7.1. Size:244K  international rectifier
 irf634n-s-lpbf.pdf

IRF634NLPBF IRF634NLPBF

PD - 95342IRF634NPbFIRF634NSPbFl Advanced Process TechnologyIRF634NLPbFl Dynamic dv/dt RatingHEXFET Power MOSFETl 175C Operating Temperaturel Fast SwitchingDl Fully Avalanche Rated VDSS = 250Vl Ease of Parallelingl Simple Drive RequirementsRDS(on) = 0.435Gl Lead-FreeDescriptionID = 8.0AFifth Generation HEXFET Power MOSFETs from InternationalSRect

 7.2. Size:301K  international rectifier
 irf634n.pdf

IRF634NLPBF IRF634NLPBF

PD - 94310IRF634NIRF634NSIRF634NL Advanced Process Technology Dynamic dv/dt Rating HEXFET Power MOSFET 175C Operating TemperatureD Fast SwitchingVDSS = 250V Fully Avalanche Rated Ease of ParallelingRDS(on) = 0.435 Simple Drive RequirementsGDescriptionFifth Generation HEXFET Power MOSFETs from InternationalID = 8.0ARectifier utilize advanced processin

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top