IRFZ44EL - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IRFZ44EL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 48 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
Тип корпуса: TO262
Аналог (замена) для IRFZ44EL
IRFZ44EL Datasheet (PDF)
irfz44espbf irfz44elpbf.pdf

PD - 95572IRFZ44ESPbFIRFZ44ELPbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technologyl Surface Mount (IRFZ44ES)DVDSS = 60Vl Low-profile through-hole (IRFZ44EL)l 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.023l Fast SwitchingGl Fully Avalanche RatedID = 48Al Lead-FreeSDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advancedprocessing tec
irfz44es irfz44el.pdf

PD - 9.1714IRFZ44ES/LPRELIMINARYHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyDVDSS = 60V Surface Mount (IRFZ44ES) Low-profile through-hole (IRFZ44EL) 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.023G Fast Switching Fully Avalanche RatedID = 48ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advancedprocessing techniques to achieve
irfz44e.pdf

PD - 91671BIRFZ44EHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyDVDSS = 60V Dynamic dv/dt Rating 175C Operating Temperature Fast SwitchingRDS(on) = 0.023G Fully Avalanche RatedID = 48ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Thisbenefi
irfz44epbf.pdf

PD - 94822IRFZ44EPbFHEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology Dynamic dv/dt Rating DVDSS = 60V 175C Operating Temperature Fast SwitchingRDS(on) = 0.023 Fully Avalanche RatedG Lead-FreeID = 48ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area.
Другие MOSFET... IRFZ34NS , IRFZ35 , IRFZ40 , IRFZ40FI , IRFZ42 , IRFZ44 , IRFZ44A , IRFZ44E , IRFB7545 , IRFZ44ES , IRFZ44N , IRFZ44NL , IRFZ44NS , IRFZ45 , IRFZ46N , IRFZ46NL , IRFZ46NS .
History: FXN10N50F | SS05N70



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP90N08NF | AP8P06S | AP4G02LI | AP4606B | AP3P06MI | AP2302AI | AP2301AI | AP220N06MP | AP15G04NF | AP10N04S | AP8G04S | AP85N03NF | AP80N06D | AP70H06NF | AP50P02DF | AP34N20P
Popular searches
s9015 transistor | irf540z | ss8550 transistor | irfp240 mosfet | tip141 | 2n404 | 2n4250 | d882 transistor equivalent