IRF7309QPBF - описание и поиск аналогов

 

IRF7309QPBF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRF7309QPBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для IRF7309QPBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF7309QPBF даташит

 ..1. Size:1962K  international rectifier
irf7309qpbf.pdfpdf_icon

IRF7309QPBF

PD - 96135A IRF7309QPbF HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance N-CHANNEL MOSFET 1 8 N-Ch P-Ch l Dual N and P Channel MOSFET S1 D1 l Surface Mount 2 7 G1 D1 l Available in Tape & Reel VDSS 30V -30V 3 6 l 150 C Operating Temperature S2 D2 l Lead-Free 4 5 RDS(on) 0.050 0.10 G2 D2 P-CHANNEL MOSFET Description Top View These HEXF

 6.1. Size:456K  1
auirf7309q.pdfpdf_icon

IRF7309QPBF

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7309Q Features N-CHANNEL MOSFET N-CH P-CH Advanced Planar Technology 1 8 S1 D1 Low On-Resistance 2 7 VDSS 30V -30V G1 D1 Logic Level Gate Drive 3 6 S2 D2 Dual N and P Channel MOSFET RDS(on) max. 0.05 0.10 4 5 G2 D2 Dynamic dv/dt Rating P-CHANNEL MOSFET 150 C Operating Temperature Top View ID 4.7A -3.5A

 6.2. Size:456K  infineon
auirf7309q.pdfpdf_icon

IRF7309QPBF

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7309Q Features N-CHANNEL MOSFET N-CH P-CH Advanced Planar Technology 1 8 S1 D1 Low On-Resistance 2 7 VDSS 30V -30V G1 D1 Logic Level Gate Drive 3 6 S2 D2 Dual N and P Channel MOSFET RDS(on) max. 0.05 0.10 4 5 G2 D2 Dynamic dv/dt Rating P-CHANNEL MOSFET 150 C Operating Temperature Top View ID 4.7A -3.5A

 7.1. Size:162K  international rectifier
irf7309.pdfpdf_icon

IRF7309QPBF

PD - 9.1243B IRF7309 PRELIMINARY HEXFET Power MOSFET Generation V Technology N-CHANNEL MOSFET Ultra Low On-Resistance 1 8 N-Ch P-Ch S1 D1 Dual N and P Channel Mosfet 2 7 G1 D1 Surface Mount VDSS 30V -30V Available in Tape & Reel 3 6 S2 D2 Dynamic dv/dt Rating 4 5 G2 D2 Fast Switching P-CHANNEL MOSFET RDS(on) 0.050 0.10 Top View Description Fifth Generation HEXFET

Другие MOSFET... IRF7240PBF , IRF7241PBF , IRF7304PBF-1 , IRF7304QPBF , IRF7306QPBF , IRF7307QPBF , IRF7309IPBF , IRF7309PBF-1 , IRFZ44N , IRF730ALPBF , IRF730APBF , IRF730ASPBF , IRF730B , IRF730PBF , IRF730SPBF , IRF7313PBF-1 , IRF7313QPBF .

History: SWF15N50 | RUF020N02 | SWD4N50K | AOWF10N60 | 4N60L-TN3-R | SWD80N04V | HM4354

 

 

 

 

↑ Back to Top
.