IRF7313PBF-1 - описание и поиск аналогов

 

IRF7313PBF-1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRF7313PBF-1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8.9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.029 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для IRF7313PBF-1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF7313PBF-1 даташит

 ..1. Size:204K  international rectifier
irf7313pbf-1.pdfpdf_icon

IRF7313PBF-1

IRF7313PbF-1 HEXFET Power MOSFET VDS 30 V 1 8 S1 D1 RDS(on) max 2 7 G1 D1 0.029 (@V = 10V) GS 3 6 S2 D2 Qg (typical) 22 nC 4 5 G2 D2 ID 6.5 A SO-8 (@T = 25 C) A Top View Features Benefits Industry-standard pinout SO-8 Package Multi-Vendor Compatibility Compatible with Existing Surface Mount Techniques Easier Manufacturing RoHS Compliant, Halogen-Free Enviro

 4.1. Size:205K  international rectifier
irf7313pbf.pdfpdf_icon

IRF7313PBF-1

PD - 95039 IRF7313PbF HEXFET Power MOSFET l Generation V Technology 1 8 l Ultra Low On-Resistance S1 D1 VDSS = 30V l Dual N-Channel MOSFET 2 7 G1 D1 l Surface Mount 3 6 S2 D2 l Fully Avalanche Rated 4 5 G2 D2 l Lead-Free RDS(on) = 0.029 Top View Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extreme

 7.1. Size:298K  1
irf7313q.pdfpdf_icon

IRF7313PBF-1

PD - 96125 IRF7313QPbF HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology 1 8 l Ultra Low On-Resistance S1 D1 VDSS = 30V l Dual N- Channel MOSFET 2 7 G1 D1 l Surface Mount 3 6 S2 D2 l Available in Tape & Reel 4 l 150 C Operating Temperature 5 G2 D2 RDS(on) = 0.029 l Automotive [Q101] Qualified l Lead-Free Top View Description Specifically designed for Automotive appl

 7.2. Size:105K  international rectifier
irf7313.pdfpdf_icon

IRF7313PBF-1

PD - 9.1480A IRF7313 PRELIMINARY HEXFET Power MOSFET Generation V Technology 1 8 Ultra Low On-Resistance S1 D1 VDSS = 30V Dual N-Channel MOSFET 2 7 G1 D1 Surface Mount 3 6 S2 D2 Fully Avalanche Rated 4 5 G2 D2 RDS(on) = 0.029 T op V iew Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely l

Другие MOSFET... IRF7309PBF-1 , IRF7309QPBF , IRF730ALPBF , IRF730APBF , IRF730ASPBF , IRF730B , IRF730PBF , IRF730SPBF , 50N06 , IRF7313QPBF , IRF7316PBF-1 , IRF7316QPBF , IRF7321D2PBF , IRF7322D1PBF , IRF7324D1PBF , IRF7324PBF-1 , IRF7326D2PBF .

History: 2SK3111 | MMN400A006U1

 

 

 

 

↑ Back to Top
.