IRF7331PBF-1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRF7331PBF-1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.2 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 13 nC
trⓘ - Время нарастания: 22 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
Тип корпуса: SO-8
Аналог (замена) для IRF7331PBF-1
IRF7331PBF-1 Datasheet (PDF)
irf7331pbf-1.pdf
IRF7331TRPbF-1HEXFET Power MOSFETVDS 20 V1 8S1 D1RDS(on) max 302 7(@V = 4.5V) G1 D1GSmRDS(on) max 3 6S2 D245(@V = 2.5V)GS45G2 D2Qg (typical) 13 nCID Top View SO-87.0 A(@T = 25C)AFeatures BenefitsIndustry-standard pinout SO-8 Package Multi-Vendor CompatibilityCompatible with Existing Surface Mount Techniques Easier ManufacturingR
irf7331pbf.pdf
PD - 95266AIRF7331PbFHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceVDSS RDS(on) max (mW) IDl Dual N-Channel MOSFET20V 30@VGS = 4.5V 7.0Al Surface Mount45@VGS = 2.5V 5.6Al Available in Tape & Reell Lead-FreeDescription1 8S1 D1These N-Channel HEXFET power MOSFETs from2 7G1 D1International Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve the extremel
irf7331.pdf
PD - 94225IRF7331HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance)VDSS RDS(on) max (m) ID))) Dual N-Channel MOSFET20V 30@VGS = 4.5V 7.0A Surface Mount45@VGS = 2.5V 5.6A Available in Tape & ReelDescription1 8S1 D1These N-Channel HEXFET power MOSFETs from2 7G1 D1International Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve the ex
irf7338.pdf
PD - 94372AIRF7338HEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceN-CHANNEL MOSFETN-Ch P-Ch1 8S1 D1l Dual N and P Channel MOSFET2 7l Surface MountG1 D1VDSS 12V -12Vl Available in Tape & Reel3 6S2 D245G2 D2P-CHANNEL MOSFETRDS(on) 0.034 0.150Top ViewDescriptionThese N and P channel MOSFETs from InternationalRectifier utilize advanced processing
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: 2SK3094
History: 2SK3094
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918