IRF7343IPBF. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IRF7343IPBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm
Тип корпуса: SO-8
Аналог (замена) для IRF7343IPBF
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRF7343IPBF даташит
irf7343ipbf.pdf
PD - 96088 IRF7343IPbF HEXFET Power MOSFET l Generation V Technology N-CHANNEL MOSFET N-Ch P-Ch 1 8 l Ultra Low On-Resistance S1 D1 l Dual N and P Channel MOSFET 2 7 G1 D1 l Surface Mount VDSS 55V -55V 3 6 S2 D2 l Fully Avalanche Rated 4 5 l Lead-Free G2 D2 P-CHANNEL MOSFET RDS(on) 0.050 0.105 Description Top View Fifth Generation HEXFETs from International Rectif
auirf7343q.pdf
PD - 96343B AUTOMOTIVE MOSFET AUIRF7343Q HEXFET Power MOSFET Features l Advanced Planar Technology N-Ch P-Ch N-CHANNEL MOSFET 1 8 l Ultra Low On-Resistance S1 D1 l Dual N and P Channel MOSFET V(BR)DSS 55V -55V 2 7 G1 D1 l Surface Mount 3 6 l Available in Tape & Reel S2 D2 RDS(on) typ. 0.043 0.095 l 150 C Operating Temperature 4 5 G2 D2 l Automotive [Q101] Qualif
irf7343pbf.pdf
PD - 92547 IRF7343PbF HEXFET Power MOSFET l Generation V Technology N-CHANNEL MOSFET N-Ch P-Ch 1 8 l Ultra Low On-Resistance S1 D1 l Dual N and P Channel MOSFET 2 7 G1 D1 l Surface Mount VDSS 55V -55V 3 6 S2 D2 l Fully Avalanche Rated 4 5 l Lead-Free G2 D2 P-CHANNEL MOSFET RDS(on) 0.050 0.105 Description Top View Fifth Generation HEXFETs from International Rectifi
irf7343.pdf
PD -91709 IRF7343 HEXFET Power MOSFET Generation V Technology N-CHANNEL MOSFET N-Ch P-Ch 1 8 Ultra Low On-Resistance S1 D1 Dual N and P Channel MOSFET 2 7 G1 D1 Surface Mount VDSS 55V -55V 3 6 S2 D2 Fully Avalanche Rated 4 5 G2 D2 P-CHANNEL MOSFET RDS(on) 0.050 0.105 Description Top View Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced
Другие MOSFET... IRF7324PBF-1 , IRF7326D2PBF , IRF7331PBF-1 , IRF7341G , IRF7341IPBF , IRF7342D2PBF , IRF7342PBF-1 , IRF7342QPBF , 2N7000 , IRF7343QPBF , IRF734PBF , IRF7351PBF , SD10425 , SD200DC , SD201DC , SD202DC , SD203DC .
History: HM120N04I | SI2319CDS | SWD10N50K | SWB056R68E7T | AP01N60H-HF | SI2308BDS | FQB44N10
History: HM120N04I | SI2319CDS | SWD10N50K | SWB056R68E7T | AP01N60H-HF | SI2308BDS | FQB44N10
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
2sc2073 | a608 transistor | c536 transistor | 2n706 | 2n388 | 2n3645 | 2n1307 | 2sa747








