SDP10N60 - описание и поиск аналогов

 

SDP10N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SDP10N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 162 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для SDP10N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SDP10N60 даташит

 ..1. Size:453K  samhop
 sdf10n60 sdp10n60 sdp10n60.pdf pdf_icon

SDP10N60

SDP10N60 SDF10N60 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.1 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) ( ) Typ VDSS ID Rugged and reliable. 600V 10A 0.62 @ VGS=10V TO-220 and TO-220F Package. D G D S G D S G SDP SERIES SDF SERIES TO-220 TO-220F S ORDERING INFORMATION Ordering Code Package M

Другие MOSFET... SDF1NA60 , SDF340 , SDF450 , SDF460 , SDF4N90 , SDF75NA20 , SDF9130 , SDF9N100 , 2SK3568 , SEF401002 , SEF40604 , SEFM150 , SEFM250 , SEFM350 , SEFM460 , SEFN450 , SEFN9140 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.