Справочник MOSFET. SDP10N60

 

SDP10N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SDP10N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 162 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для SDP10N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SDP10N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:453K  samhop
 sdf10n60 sdp10n60 sdp10n60.pdf pdf_icon

SDP10N60

SDP10N60SDF10N60aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) () TypVDSS IDRugged and reliable.600V 10A 0.62 @ VGS=10V TO-220 and TO-220F Package.DG D S G D S GSDP SERIES SDF SERIESTO-220 TO-220FSORDERING INFORMATIONOrdering Code Package M

Другие MOSFET... SDF1NA60 , SDF340 , SDF450 , SDF460 , SDF4N90 , SDF75NA20 , SDF9130 , SDF9N100 , 5N65 , SEF401002 , SEF40604 , SEFM150 , SEFM250 , SEFM350 , SEFM460 , SEFN450 , SEFN9140 .

History: MMQ60R115PTH | ELM34801AA | APT11F80B | SWF18N50D | CPMF-1200-S080B | BR13N50 | FIR10N65FG

 

 
Back to Top

 


 
.