IRL1004S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRL1004S  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 130 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 210 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1480 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm

Тип корпуса: TO263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IRL1004S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRL1004S даташит

 ..1. Size:210K  international rectifier
 irl1004lpbf irl1004spbf.pdf pdf_icon

IRL1004S

PD - 95575 IRL1004SPbF IRL1004LPbF l Logic-Level Gate Drive HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance D l Dynamic dv/dt Rating VDSS = 40V l 175 C Operating Temperature l Fast Switching RDS(on) = 0.0065 l Fully Avalanche Rated G l Lead-Free ID = 130A Description S Fifth Generation HEXFET power MOSFETs from International Rectifier u

 ..2. Size:123K  international rectifier
 irl1004s irl1004l.pdf pdf_icon

IRL1004S

PD - 91644A IRL1004S IRL1004L Logic-Level Gate Drive HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance D VDSS = 40V Dynamic dv/dt Rating 175 C Operating Temperature Fast Switching RDS(on) = 0.0065 G Fully Avalanche Rated Description ID = 130A S Fifth Generation HEXFET power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing

 ..3. Size:252K  inchange semiconductor
 irl1004s.pdf pdf_icon

IRL1004S

isc N-Channel MOSFET Transistor IRL1004S FEATURES With TO-263( D2PAK ) packaging High speed switching Low gate input resistance Standard level gate drive Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a S

 7.1. Size:89K  international rectifier
 irl1004.pdf pdf_icon

IRL1004S

PD - 91702B IRL1004 HEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate Drive D Advanced Process Technology VDSS = 40V Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating RDS(on) = 0.0065 175 C Operating Temperature G Fast Switching ID = 130A Fully Avalanche Rated S Description Fifth Generation HEXFET power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFZ46N, IRFZ46NL, IRFZ46NS, IRFZ48N, IRFZ48NL, IRFZ48NS, IRL1004, IRL1004L, IRFP460, IRL2203N, IRL2203NL, IRL2203NS, IRL2505, IRL2505L, IRL2505S, IRL2703, IRL2703S