SHD219501 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: SHD219501 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 348 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 180 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 2000 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
Тип корпуса: LCC-3P
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для SHD219501
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SHD219501 даташит
shd219501.pdf
SENSITRON SHD219501 SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA DATA SHEET 778, REV. - HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL FEATURES 60 Volt, 0.020 Ohm, 55A MOSFET Isolated Hermetic Ceramic Package Fast Switching Low RDS (on) Equivalent to IRFN054 MAXIMUM RATINGS ALL RATINGS ARE AT TC = 25 C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED. RATING SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNITS GATE TO SOURCE VOLTAGE VGS
shd219504.pdf
SHD219504 SENSITRON SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA DATA SHEET 607, REV B HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL FEATURES 400 Volt, 0.3 Ohm, 9.0A MOSFET Low RDS (on) Equivalent to IRF350 Series MAXIMUM RATINGS ALL RATINGS ARE AT TC = 25 C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED. RATING SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNITS GATE TO SOURCE VOLTAGE VGS - - Volts 20 ID - - 14 Amps ON-STATE DRAI
shd219503.pdf
SENSITRON SHD219503 SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA DATA SHEET 896, REV - HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL DESCRIPTION A 200 VOLT, .100 OHM MOSFET IN A HERMETIC CERAMIC LCC-3P PACKAGE. MAXIMUM RATINGS ALL RATINGS ARE AT TA = 25 C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED. RATING SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNITS GATE TO SOURCE VOLTAGE VGS - - 20 Volts ID - - 27.4 Amps CONTINUOUS DRAIN CURRENT @ TC =
shd219511.pdf
SENSITRON SHD219511 SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA DATA SHEET 608, REV - HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL FEATURES 400 Volt, 0.24 Ohm, 16A MOSFET Low RDS (on) MAXIMUM RATINGS ALL RATINGS ARE AT TC = 25 C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED. RATING SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNITS GATE TO SOURCE VOLTAGE VGS - - 20 Volts ID - - 16 Amps ON-STATE DRAIN CURRENT @ TC = 25 C IDM - - 64 A
Другие IGBT... SHD219303, SHD219401, SHD219402, SHD219403, SHD219405, SHD219409, SHD219410, SHD219451, IRFB4115, SHD219503, SHD219504, SHD219511, SHD219601, SHD219603, SHD219701, SHD219720, SHD220212
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
2n404 | 2n4250 | d882 transistor equivalent | 17n80c3 | bc107 transistor | rjp63g4 datasheet | 2sc1115 | c3998 transistor




