IRL2505 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRL2505  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 104 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 160 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IRL2505

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRL2505 даташит

 ..1. Size:108K  international rectifier
 irl2505.pdf pdf_icon

IRL2505

PD - 91325C IRL2505 HEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate Drive Advanced Process Technology D VDSS = 55V Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating 175 C Operating Temperature RDS(on) = 0.008 Fast Switching G Fully Avalanche Rated ID = 104A S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extre

 ..2. Size:223K  international rectifier
 irl2505pbf.pdf pdf_icon

IRL2505

PD -95622 IRL2505PbF HEXFET Power MOSFET l Logic-Level Gate Drive l Advanced Process Technology D VDSS = 55V l Ultra Low On-Resistance l Dynamic dv/dt Rating l 175 C Operating Temperature RDS(on) = 0.008 l Fast Switching G l Fully Avalanche Rated ID = 104A l Lead-Free S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing tech

 ..3. Size:245K  inchange semiconductor
 irl2505.pdf pdf_icon

IRL2505

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor IRL2505 IIRL2505 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 8.0m Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION reliable device for use in a wide variety of applications ABSOLUTE MAXIMUM R

 0.1. Size:178K  international rectifier
 irl2505s irl2505l.pdf pdf_icon

IRL2505

PD - 91326D IRL2505S/L HEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate Drive Advanced Process Technology D VDSS = 55V Surface Mount (IRL2505S) Low-profile through-hole (IRL2505L) 175 C Operating Temperature RDS(on) = 0.008 Fast Switching G Fully Avalanche Rated ID = 104A Description S Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniqu

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFZ48NL, IRFZ48NS, IRL1004, IRL1004L, IRL1004S, IRL2203N, IRL2203NL, IRL2203NS, IRFP260N, IRL2505L, IRL2505S, IRL2703, IRL2703S, IRL2910, IRL2910L, IRL2910S, IRL3101D1