IRL2703 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: IRL2703 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 140 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
Тип корпуса: TO220
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для IRL2703
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRL2703 даташит
irl2703pbf.pdf
PD - 95368 IRL2703PbF Lead-Free www.irf.com 1 6/17/04 IRL2703PbF 2 www.irf.com IRL2703PbF www.irf.com 3 IRL2703PbF 4 www.irf.com IRL2703PbF www.irf.com 5 IRL2703PbF 6 www.irf.com IRL2703PbF www.irf.com 7 IRL2703PbF TO-220AB Package Outline Dimensions are shown in millimeters (inches) 10.54 (.415) - B - 3.78 (.149) 10.29 (.405) 2.87 (.113) 4.69 (.185) 3.54 (.13
irl2703.pdf
PD - 9.1359A IRL2703 HEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate Drive D Advanced Process Technology VDSS = 30V Dynamic dv/dt Rating 175 C Operating Temperature RDS(on) = 0.04 Fast Switching G Fully Avalanche Rated ID = 24A S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistanc
irl2703.pdf
INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor IRL2703 IIRL2703 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 0.04 Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION reliable device for use in a wide variety of applications ABSOLUTE MAXIMUM
irl2703spbf.pdf
PD- 95586 IRL2703SPbF Lead-Free www.irf.com 1 07/20/04 IRL2703SPbF 2 www.irf.com IRL2703SPbF www.irf.com 3 IRL2703SPbF 4 www.irf.com IRL2703SPbF www.irf.com 5 IRL2703SPbF 6 www.irf.com IRL2703SPbF Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit + Circuit Layout Considerations Low Stray Inductance Ground Plane Low Leakage Inductance Current Transformer - +
Другие IGBT... IRL1004L, IRL1004S, IRL2203N, IRL2203NL, IRL2203NS, IRL2505, IRL2505L, IRL2505S, AON6414A, IRL2703S, IRL2910, IRL2910L, IRL2910S, IRL3101D1, IRL3102, IRL3102S, IRL3103
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CS95118 | CS85105A | CS75N45 | CS72N12 | CS55N50 | CS48N75A | CS40N27 | MSQ60P04D | MSQ40P07D | MSQ30P40D | MSQ30P15 | MSQ30P07D | MSQ100N03D | MSHM60P14 | MSHM40N085 | MSHM30N46
Popular searches
fb4410z | 2sa899 | 2sc1166 | jcs9n50fc datasheet | 2n2147 | 2sc870 | 2sa771 | d667




