IRL2910S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRL2910S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 630 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm
Тип корпуса: TO263
IRL2910S Datasheet (PDF)
irl2910spbf irl2910lpbf.pdf

PD - 95149IRL2910S/LPbFHEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate Drive Surface MountD Advanced Process TechnologyVDSS = 100V Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt RatingRDS(on) = 0.026 Fast SwitchingG Fully Avalanche RatedID = 55A Lead-FreeSDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveext
irl2910s irl2910l.pdf

PD - 91376BIRL2910S/LHEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate DriveD Surface MountVDSS = 100V Advanced Process Technology Ultra Low On-ResistanceRDS(on) = 0.026 Dynamic dv/dt RatingG Fast Switching Fully Avalanche RatedID = 55ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-
irl2910s.pdf

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRL2910SFEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Volt
irl2910n.pdf

PD 9.1375IRL2910PRELIMINARYHEXFET Power MOSFETLogic-Level Gate DriveAdvanced Process TechnologyVDSS = 100VUltra Low On-ResistanceDynamic dv/dt RatingRDS(on) = 0.026175C Operating TemperatureFast SwitchingID = 48AFully Avalanche RatedDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilizeadvanced processing techniques to achieve extremely l
Другие MOSFET... IRL2203NS , IRL2505 , IRL2505L , IRL2505S , IRL2703 , IRL2703S , IRL2910 , IRL2910L , IRFP250N , IRL3101D1 , IRL3102 , IRL3102S , IRL3103 , IRL3103D1 , IRL3103D1S , IRL3103D2 , IRL3103L .
History: RSH070P05TB1 | IXTM50N20
History: RSH070P05TB1 | IXTM50N20



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0611PP | JMSL0611PGD | JMSL0611PG | JMSL0610AGDQ | JMSL0610AGD | JMSL060SPGQ | JMSL0609PPD | JMSL0609AUQ | JMSL0609AU | JMSL0609APD | JMSL0609AP | JMSL0609AKQ | JMSL0609AK | JMSL0609AGWQ | JMSL0609AGQ | JMSL0609AG
Popular searches
2n2147 | 2sc870 | 2sa771 | d667 | a965 transistor | hy3210 | d313 transistor equivalent | 2sb827