IRF7380PBF-1 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRF7380PBF-1  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.073 Ohm

Тип корпуса: SO-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IRF7380PBF-1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF7380PBF-1 даташит

 ..1. Size:205K  international rectifier
 irf7380pbf-1.pdf pdf_icon

IRF7380PBF-1

IRF7380TRPbF-1 HEXFET Power MOSFET VDS 80 V 1 8 S1 D1 RDS(on) max 2 7 73 m G1 D1 (@V = 10V) GS 3 6 S2 D2 Qg (typical) 15 nC 4 5 ID G2 D2 3.6 A (@T = 25 C) A Top View SO-8 Applications l High frequency DC-DC converters Features Benefits Industry-standard pinout SO-8 Package Multi-Vendor Compatibility Compatible with Existing Surface Mount Techniques Easier Ma

 4.1. Size:226K  international rectifier
 irf7380pbf.pdf pdf_icon

IRF7380PBF-1

IRF7380PbF HEXFET Power MOSFET VDSS RDS(on) max ID Applications l High frequency DC-DC converters 80V 73m @VGS = 10V 3.6A l Lead-Free Benefits 1 8 S1 D1 l Low Gate to Drain Charge to Reduce 2 7 G1 D1 Switching Losses 3 6 l Fully Characterized Capacitance Including S2 D2 Effective COSS to Simplify Design, (See 4 5 G2 D2 App. Note AN1001) l Fully Characterized Avalanche Vol

 7.1. Size:200K  international rectifier
 irf7380qpbf.pdf pdf_icon

IRF7380PBF-1

PD - 96132B IRF7380QPbF HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance VDSS RDS(on) max ID l N Channel MOSFET 73m @VGS = 10V l Surface Mount 80V 2.2A l Available in Tape & Reel l 150 C Operating Temperature l Lead-Free 1 8 S1 D1 2 7 Description G1 D1 Additional features of These HEXFET Power 3 6 S2 D2 MOSFET's are a 150 C junction operating 4

 8.1. Size:259K  international rectifier
 irf7389pbf.pdf pdf_icon

IRF7380PBF-1

PD - 95462 IRF7389PbF HEXFET Power MOSFET l Generation V Technology N-CHANNEL MOSFET N-Ch P-Ch 1 8 l Ultra Low On-Resistance S1 D1 l Complimentary Half Bridge 2 7 G1 D1 VDSS 30V -30V l Surface Mount 3 6 S2 D2 l Fully Avalanche Rated 4 5 G2 D2 l Lead-Free P-CHANNEL MOSFET RDS(on) 0.029 0.058 Top View Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SHDC220212, SHDC220213, SHDC220301, IRF7353D1PBF, IRF7353D2PBF, IRF7379IPBF, IRF7379QPBF, IRF737LCPBF, STP75NF75, IRF7380QPBF, IRF7389PBF-1, IRF7401PBF, IRF7401PBF-1, IRF7402PBF, IRF7403PBF, SHDC220455, SHDC224701